pH值对电沉积CuInSe_2薄膜的组份、结构及光电性能的影响.pdfVIP

第 27卷第 12期 无 机 化 学 学 报 Vo1．27No．12 2011年 12月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY pH值对电沉积CuInSe2薄膜的组份、结构及光电性能的影响 王信春 王广君 庞 山 万绍 明 张兴堂 杜祖亮 f河南大学特种功能材料教育部重点实验室，开封 475004) 摘要 ：本文采用一步恒 电位沉积法在铟锡氧化物frr0)基底上制备 CuInSe薄膜 ，研究了沉积过程中不同的离子浓度配 比及 pH 值对 CuInSe，膜结构性能的影响 利用扫描电子显微镜(SEM1、X射线能谱仪fEDS)及 X射线衍射仪(xRD)研究了薄膜材料 的结 构性能，结果发现pH值对薄膜的化学成份 、表面形貌 、晶格结构都有显著影响，通过控制合适的浓度及酸度分别制备 了高质量 富铟与富铜薄膜 利用表面光电压fSPS1技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行 了研究。结果发现富铟薄膜具有很强 的光 电响应 ：而富铜薄膜 由于 Cu．Se相 的存在 ，在薄膜 中形成 了新 的界面．电子一空穴对在其界面处因捕获而发生复合 ，从而导 致其光 电响应 的强烈降低 所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供 了有价值 的新思路 关键词 ：CuInSe2；富铜 ；富铟 ；电沉积 ；太 阳能电池 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2011)12—2437—06 ImpactofpH ValueonComposition，StructureandPhoto-Electric PropertiesofElectrodepositedCulnSe2ThinFilms WANG Xin-·Chun WANGGuang--Jun PANG Shan WAN Shao—Ming ZHANG Xing—Tang DU Zu-Liang eyLaboratoryforSpecialFunctionalMaterialsofMinistryofEducation，HenanUniversity,Kafieng,Henan475004，China) Abstract：Inthispaper，CulnSezthinfilmswerepreparedbyone—steppotentiostaticelectrodep0sitionmethodon theindiumtinoxide (ITO)substrates，weresearchedtheeffectofthedifferentdepositionconcentrationratioand pH valueson the structuralperformance ofCulnSezthin films in the process．The surface morphology， stoichiometricratioandcrystalsturcturewerecharacterizedbyscanningelectronmicroscopy(SEM)，X—rayeneryg dispersivespectroscopy(EDS)andX—raydiffraction(XRD)respectively．TheresultsshowedthatpHvaluehavea significantimpacton thesurfacemoprholoyg 、chemicalcomposition、crystalstructureofthesethinfilms，high— qualitythinfilmswithindium--richorcopper-·richhavebeenpreparedbycontrollingtheappropriateconcentration andacidity．W eresearchedtheopto—electricalseparationpropertiesofCu-ric