电子科大传感器第二章金属敏感材料.ppt

基于霍尔效应的普通磁阻效应 磁阻效应（Magnetoresistance Effects）磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉?汤姆森发现的，是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。 同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。 若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。 历史 它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。 利用机械量的敏感元件中，特点是精度低，但廉价、简便。 而利用电阻温度依赖关系的温敏元件使用温度范围广，且精度高。 作为金属系温度敏感元件，使用最广且精度也高的是基于热电势的温敏元件。 利用马氏体相变的形状记忆合金和规则—不规则相变中的电阻变化的熔断丝是利用相移的例子，且已实用化。 利用磁性的温度依赖性的敏感元件中典型的是感温铁氧体，但金属系磁铁是磁补偿合金，使用实例较少。 光磁敏感元件还在应用研究阶段。超导相移等的利用也在开发中。 金属热电阻 B．铜热电阻 铜丝可用来制造-50~150℃范围内的工业用电阻温度汁。在此温度范围内线性关系好，灵敏度比铂电阻高(a＝(4.25~4.28)×10-3／℃)．容易得到高纯度材料，复制性能好。 但铜易于氧化，一般只用于150℃以下的低温测量和没有水分及无侵蚀性介中的温度测量。 通常利用二项式计算测量的铜电阻值为: RT＝R0[1十a(T—T0)] C.铁电阻和镍电阻 铁和镍这两种金属的电阻温度系数较高，电阻率较大，故可作成体积小、灵敏度高的的电阻温度计。 其特点是容易氧化、化学稳定性差、不易提纯，复制性差，而且电阻值与温度的线性关系差。 目前应用不多； 超导量子干涉仪 (SQUID) SQUID实质是一种将磁通转化为电压的磁通传感器，其基本原理是基于超导约瑟夫森效应和磁通量子化现象。 以SQUID为基础派生出各种传感器和测量仪器，可以用于测量磁场，电压，磁化率等物理量。 被一薄势垒层分开的两块超导体构成一个约瑟夫森隧道结。当含有约瑟夫森隧道结的超导体闭合环路被适当大小的电流偏置后，会呈现一种宏观量子干涉现象，即隧道结两端的电压是该闭合环路环孔中的外磁通量变化的周期性函数，其周期为单个磁通量子Φ0=2.07×10-15Wb，这样的环路就叫做超导量子干涉仪。 利用直流约瑟夫逊效应研制成超导量子干涉器（SQUID），可用于测量诸如人体心脏和脑活动所产生的微磁场变化，分辨力高达10?13T。 SQUID心磁检测系统 对用于形变规的金属材料，要求由外应力引起的形变 ε产生的电阻变化率 ?R/R高 、线性度好、电阻的温度系数低。 与形变相应的电阻变化率通常称为标准因子（规率）G，可由下式定义： 为金属规的长度变化；v 为泊松比（金属时为0.3） 3. 形变金属材料 ±20×10?6 20×10?6 20×10?6 15×10?6 160×10?6 800×10?6 2.04~2.12 1.7~2.0 2.1 0.45~0.5 2.0~2.5 6 Cu-42Ni Cu-40Ni Ni-20Cr-3Fe-3Cu Cu-13Mn Ni-24Fe-16Cr Pt-20Ir 阿范斯康铜 康 铜 卡尔马高电阻镍铬合金 锰 铜 镍铬合金 Pt-Ir 温度系数K?1 G 组分（wt%） 合金名称 金属形变材料的主要特性 3. 形变金属材料 Bi-Sb 合金薄膜的规率 5.31 ?2.55 10.36 9.56 11.16 873 965 965 1000 1080 Bi Bi-10Sb Bi-20Sb Bi-40Sb Bi-60Sb 规 率 膜厚(10?10m) 组分(wt%) 原有的材料因为由形变而容易引起电阻变化的金属多数近于半金属，性能脆，难于作成细线或薄板。然而，若是用蒸发等方法制成薄膜，则可解决此问题。 3. 形变金属材料 3.2 磁形变敏感元件 强磁性体一旦被磁化就显示尺寸变化，通常称为磁致伸缩效应。反之，若因为给强磁性体以形变而磁化发生变化，则称为反磁致伸缩效应。 对于磁头等精密磁敏