半导体三管复习提要.docVIP

半导体三极管复习提要 一、晶体管基本知识 一、体的结构和分类半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。晶体管按所可分为硅和锗；按用途可分为放大和开关管；按可分为低频和高管；按功可分为小功率管、中功率和大功率管；按可分NPN型和PNP型。在一块半导体基板上按特定的方式，形成三个掺杂区：；E；发射区与基区之间的PN结称为，基区与集电区之间的PN结称为电结。结构与符号如图2-4所示。E）构成。 需要注意： 1) NPN型和PNP型晶体管符号的箭头方向不同，它表示发射结加正向偏置时的电流方向。 2) 晶体并不是两个二极的简单组合，不能用两个二极管来代替一个晶体管。一般射极和集电极也不能互换使用。 二、体的电分配放大作用．晶体管各极的电分配关系 2．晶体管的电流放大作用 “发射结正偏，集电结反偏”是晶体管具有电流放大作用的外部条件。 晶体管是一种电流控制器件，其电流放大作用就是基极电流的微小变化控制了集电极电流的较大变化。但需要注意的是，晶体管放大电流时，被放大的是由电源提供的，并不是晶体管自身产生的，放大的实质是小信号对大信号的控制作用。 三、晶体管的特性曲线 1．输入特性曲线 它的形状与二极管的正向特性曲线类似，硅管的死区电压约为0.5V，锗管死区电压约为0.2V。晶体管正常导通后，硅管的约为0.7V，锗管约为0.3V。 2．输出特性曲线 根据晶体管的工作状态不同，可将输出特性曲线分为三个区域。 (1)放大区放大区是指曲线近似平行于横轴的平坦区域。在此区域，晶体管工作于使晶体管工作在放大区的条件是：此时，发射结压降硅管为0.60.7V，锗管02～0.3V，对于NPN型晶体管，。(2)饱和区饱和区是指图2-8的左边，的区域。使晶体管工作此时，对于NPN型晶体管，，集电极C与发射极E之间如同一个处于闭合状态的开关，相当于短路。 (3)截止区截止区是指图2-8中曲线以下的区域。：。此时，对于NPN型晶体管，集电极C与发E之间电压降为电源电压，如同一个开关处于断开状态，相当于开路。1．共射极电流放大系数 电流放大系数是表征晶体管放大能力的参数。电路工作状态有两种： 电路无交流信号输入而工作在直流状态时称为，静态电流放大系 电路有交流信号输入时的工作状态称为动态，动态电流放大系数 2．极间反向电流 极间反向电流是由少数载流子形成的，其大小表征了管子的温度特性。 (l) (2) 3．极限参数 极限参数是表征晶体管能否安全工作的参数。 (l)集电极最大允许电流 (2)反向击穿电压 (3)集电极最大允许耗散功率VT:三极管，具有放大作用，:电源,保证晶体管的发射结正偏，集电结反偏，使晶体管处在:基极偏置电阻用来，使晶体管有一个合适的工作点：集电将集电极电流的变化转换为电压的变化，实现电压放大：输入耦合电容用来传递交流信号，耦合的作用；同时，又使放大电路和信号源及负载：输出耦合电容，用来传递交流信号，耦合的作用；同时，又使放大电路和信号源及负载：负载二、电路中电压和电符号写法的规定(1)直流分量符号用大写字母加大写下标表示，如表示基极的直流电流。 (2)变分量瞬时值符号用小写字母加小写下标表示，如表示基极的交流电流。 (3)总量瞬时值交、直流信号并存，是直流分量和交流分量之和，符号用小写字母和表示基极电流的总瞬时值。三、共射极基本放大电路的静态分析 静态是指无信号输入时电路的工作状态，此时电路中只有直流电源形成的直（主要指、和）。 画直流通路图具体方法2．估算静态工作点 由图2—10可得出电路的静态工作点 通常电压UBEQ 近似等于二极管的正向电压， UBEQ，则 （2-8） （2-9） （2-10） 四、共射极基本放大电路的动态分析 动态是指有交流信号输入时，电路中的电流、电压随输入信号作相应变化的状态。 1．画交流通路图 由于对交流信号而言，直流电源和电容可视为短路。2．估算放大器常用性能指标 (l)晶体管的输入电阻rbe估算公式为 （2-12） 从此可见，rbe与静态电流IEQ有关，静态工作点不同，rbe取值也不同。常用小功率管的rbe约为kΩ左右。 电压放大倍数Au （2-13） 输入电压i=ibrbe；输出电压，集电极负载电阻RC与放大电路的负载电阻RL是并联的并联后称为交流等效负载 即 所以，放大电路的电压放大倍数为