A+---分析传导EMI的功率MOSFET建模.pdfVIP

第 37 卷第 2 期 浙　江　大　学　学　报(工学版) V o l. 37 N o. 2 2003 年 3 月 Jou rn a l o f Zh ej iang U n iver sity (Eng in eer ing Scien ce) M ar. 2003 分析传导 EM I 的功率M O SFET 建模 袁义生, 钱照明 (浙江大学 电气工程学院, 浙江 杭州 3 10027) 摘　要: 基于集总电荷原理, 分析了功率垂直双扩散 ( ) 开关过程各阶段极间电容 和 的变化, 建 M O S VDM O S CGS CGD 立了连续的C GS 和CGD 的模型, 利用产品数据手册的数据, 采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数. 在 Sab er 仿真软件中, 利用现有的LDM O S 模型为核心, 构筑功率VDM O S 的子电路模型, 作为精确的瞬态和传导电 磁干扰(E lect rom agn et ic In terferen ce, EM I) 仿真使用. 最后的开关实验和仿真结果的比较证明了该模型的准确性 和有效性. 关键词:VDM O S; 传导 EM I; 建模技术 中图分类号: 386. 2　　　　　文献标识码: 　　　　　文章编号: 1008973 (2003) 020 19804 TN A X M odel in g of power M O SFET f or con duct in g EM I ana ly sis , YU AN Y i sh en g Q IAN Zh ao m in g (Colleg e of E lec tr ica l E ng ineer ing , Z h ej iang U n iv ers ity , H ang z h ou 3 10027, Ch ina) A bstract: B a sed on th e th eo ry o f lum p ch arge, th e ch an ge o f CGS an d C GD o f V DM O S du r in g th e sw itch in g t ran sit ion is an a ly sed. T h e m o dels o f con t inuou s C GS an d C GD are develop ed. A ll m o del p aram eter s can b e ex t racted by a cu rve f it t in g app ro ach by com p ar in g th e m o del equ at ion s w ith som e ch aracter ist ic cu rve s . , ob ta in ed from p ro du ct ion data sh eet In so ftw are p ack age