GaNHEMTs击穿特性分析.pdf

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．5(2014)057302 25Gao 阶梯A1GaN~I＼延新 Alo ． ． 75N／GaN HEMTs击穿特性分析冰 段宝兴十 杨银堂 (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071) (2013年l1月3日收到；2013年l1月28日收到修改稿) 为了优化A1GaN／GaNHEMTs器件表面电场，提高击穿电压，本文首次提 出了一种新型阶梯A1． GaN／GaNHEMTs结构．新结构利用A1GaN／GaN异质结形成的2DEG浓度随外延A1GaN层厚度降低而 减小的规律，通过减薄靠近栅边缘外延的A1GaN层，使沟道 2DEG浓度分区，形成栅边缘低浓度2DEG区， 低的2DEG使阶梯A1GaN交界出现新的电场峰，新 电场峰的出现有效降低了栅边缘的高峰电场，优化了 A1GaN／GaNHEMTs器件的表面电场分布，使器件击穿电压从传统结构的446V，提高到新结构的640V．为 了获得与实际测试结果一致的击穿曲线，本文在GaN缓冲层中设定了一定浓度的受主型缺陷，通过仿真分析 验证了国际上外延GaN缓冲层时掺入受主型离子的原因，并通过仿真分析获得了与实际测试结果一致的击 穿 曲线． 关键词：A1GaN／GaN，表面电场，击穿电压，异质结 PACS：73．40．Kp73．40．V_2，73．61．Ey DOI：10．7498／aps．63．057302 已经设计了很多提高功率器件击穿电压的方法和 1 引 言 技术[16--23】．但是，A1GaN／GaNHEMTs器件的特 殊耐压机理使得设计优化高击穿电压的硅技术不 氮化镓 fGaN)是第三代宽禁带半导体材料的 能直接移植 2【2J． 代表，在大功率开关方面的品质因子BFOM是硅 A1GaN／GaN异质结的极化效应形成了高密度 材料的39倍，所以GaN宽禁带半导体材料在高频、 2DEG，异质结的极化包括压 电极化和材料 自发极 高温、大功率和抗辐照环境条件下具有超强的优 化，为了屏蔽这种极化感应 电荷，在GaN表面的 势 [，引，制备的功率半导体器件是下一代高性能功 低势垒沟道区形成了用于导电的高密度2DEG．使 率系统的核心 0【，．目前，由于材料质量和器件制 得A1GaN／GaNHEMTs器件的耐压机理与传统si 备工艺技术的提高，GaN基功率微波器件 的功率 基pn结或MOS结构不同，具有特殊性．相 同之处 密度可 以高达 GaAs基器件 的5—10倍，高的功率 在于随着漏端电压的增加，A1GaN／GaNHEMTs 密度可以简化微波功率集成电路的设计和制备． 器件 的栅 电极边缘出现高 电场，当电场强度达到 A1GaN／GaNHEMTs器件的研究主要包括通过电 GaN材料临界击穿电场时器件击穿，为了降低栅 场优化提高击穿电压 [5--11]、通过结构设计缓解 电 边缘的高峰电场，硅基功率器件利用了RESURF 流崩塌 [1213】以及提高器件可靠性 [14,15]．实现一定 技术 ，为了进一步降低体 内高电场，研究者提出 功率密度和满足特定电压转换的功率器件，击穿电 了REBULF技术 [19]．文献f23]通过氟离子注入技 压是一个非常重要的参数，研究者在硅