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利用PN结的C_V特性来测其击穿电压
( )
第 16 卷第 4 期 中南民族学院学报 自然科学版 V o.l 16 N o. 4
( )
1997 年 12 月 JOU RN AL O F SOU TH - CEN TRAL COLL EGE FO R N A T ION AL IT IE S N at. Sci. D ec. 1997
利用 结的 特性来测其击穿电压
PN C V
龚道本
(物理系)
摘 要 提出了一种通过测量 结的势垒电容的 特性来测量 结的击穿电压
PN C V PN V B
的方法, 与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线; 同时也为 仪开发了一种新的应
C V
用.
关键词 结; 势垒电容; 特性; 空间电荷区; 击穿电压
PN C V
分类号 TN 386
半导体器件的种类繁多, 在大多数情况下器件的核心是 PN 结, 而 PN 结的击穿电压 V B
(
是一个重要参数. 关于 的测量, 传统的方法是用 法 这可以用电表, 也可用 1 图示仪
V B V I J T
)
去测量 . 本文提出了通过测量 结的 特性来测量 结的反向击穿电压 这一新的
PN C V PN V B
测量方法.
1 测量原理
当 PN 结二端的外加电压 V 变化时其 PN 结势垒宽度 d 发生变化, 空间电荷 Q 也会发
生变化, 好像电容器的充电放电一样, 这就是 PN 结的电容效应. 由文献[ 1]可知 PN 结的势垒
( )
宽度 d 和势垒电容 C 单位面积电容 分别为:
2 N + N
0 D A
d = (V D - V ) · , ( 1)
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