PCM参数的改进和在FAB间的匹配.pdfVIP

第 1 章 课题背景 1.1 本课题背景和问题的提出 在当今全球晶圆代工业中，全球十大半导体厂商几乎都完成了90纳米工艺 引入批量生产的布局，65 纳米工艺也在布局中，而 45 纳米，32 纳米等技术处 [1] 于研发，完善中 。进入90纳米技术后，半导体厂商间的技术差距会加大，只 有领先的厂商才能跨越制造技术门坎，加上晶圆厂建厂成本巨大，很多厂商将 被淘汰出局。为了能在如此激烈的竞争中生存下去，小的晶圆代工厂不能跟着 大的厂商去竞争标准 CMOS 工艺的代工，因为无论在新技术开发，生产能力 （Capacity），及时交货 (On time delivery)，成本控制等方面都是无法跟台 积电，台联电，特许半导体等晶圆代工业巨头相比的。那么，小的晶圆代工厂 的出路在哪儿呢？答案是在于提供特殊半导体产品代工，因为这一领域有固定 的市场需求和一定的客户群体，而大的晶圆代工厂商并没有过多地涉足。 近几年中国的晶圆代工业取得了长足的发展，涌现了像中芯国际，华虹等 这样在国际上知名的晶圆代工企业，也出现了一些能够提供特殊半导体加工服 务的代工厂。而像美国这样发达国家的芯片提供商为了降低成本也倾向于将产 品交由中国的晶圆代工厂制造，更有一些晶圆代工厂为了扩大产能，将制造工 艺转移到中国的代工厂来制造自己客户的产品以避开新建工厂的巨大投资。 美国一家晶圆代工厂，主要制造模拟/混合信号集成电路，在无线通讯领域 有相当的客户群。为了扩大产能，将美国公司的生产工艺转到中国的晶圆代工 厂，并由中国的晶圆代工厂为其客户制造产品。目前，工艺已经转移成功，产 品成品率、可靠性都达到了要求。但因为两个晶圆代工厂设备，工艺步骤，工 艺菜单(recipe)等不完全相同的原因，器件参数并没有完全匹配。这样，最终 的产品特性会因为产地不同而异，这导致同样的设计不能够在两个代工厂同时 投产，给客户进行新产品的研制和市场开拓带来了难度。 1 / 52 本课题来源于这样的生产实际需求，其目标是实现两个晶圆代工厂的半导 体器件电学性能的匹配，关键在于通过研究半导体器件原理，制造工艺，从众 多的影响因素中找到导致二个晶圆代工厂半导体器件电学性能（PCM 参数）不 匹配的关键因素，再通过实验找到这些关键因素的合适条件以达到二个晶圆代 工厂的 PCM （Process Control Monitoring ）参数的匹配。其商业意义在于能够消 除两个晶圆代工厂之间的差别，让客户在两个晶圆代工厂投片如同一个晶圆代 工厂一样。 在众多的PCM参数中，如表1所示六个参数没有达到匹配标准。 表 1 两个晶圆代工厂不匹配器件参数列表 Lower Upper Mother FAB Mother FAB China FAB Measurement Limit Limit Median Mean Mean BETA LPNP 12 100 33.28 33.34 23.62 BETA_STD 40 300 114.60 114.90 168.30 RESO2 PINCHSTD 150 700 278.00 279.80 236.40 RESO2 PINCHHV 150 700 355.00 354.00 302.40 CA MIS 0V 11.50 16.20 13.42 13.42 12.51 CA VAR 0V 4.60 6.40 5.32 5.32 5.64 这些PCM参数涉及四个半导体器件，也就是NPN和Lateral_PNP双极型晶体管， 扩散致窄电阻，金属氧化物电容(MIS CAP)，二极管可变电容(Varactor)。另外， 两个