四讲 场效应管.pptVIP

1）当uGS=0时，正离子使导电沟道形成。 2）当uGS0，沟道加宽； uGS0，沟道变窄。 3）当uGS负值达到一定的数值时，沟道消失，此时的 uGS= UGS (off) 0 为管子的夹断电压。 4）uDS对iD的影响与增强型MOSFET相似。 2、特性曲线和特性方程 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 -0.6V 0.4V 输出特性曲线 UGS(off) iD uGS 0 UGS(off) IDSS 转移特性曲线 2、特性曲线和特性方程 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 -0.6V 0.4V 输出特性曲线 UGS(off) iD uGS 0 UGS(off) IDSS 转移特性曲线 *耗尽型MOSFET工作在恒流区时的大信号特性方程为： uGD uGS(off) uGD= uGS(off) uGD uGS(off) uGS≤ uGS(off) UGS(0ff) 0 uDS 0 N沟道MOS FET uGDuGS(off) 恒流区 uGD= uGS(off) 预夹断状态 uGD uGS(off) 可变电阻区 uGS≥ uGS(off) 截止区 UGS(0ff) 0 夹断电压 uDS 0 电源极性 P沟道MOSFET 3、已知D型MOSFET三极的电位，如何判断管子的工作状态？ ①认清器件类型：N沟道/P沟道 ②看uGS与夹断电压uGS(0ff)的关系，确定是否工作在截止区 ③若不截止，看uGD与夹断电压uGS(0ff)的关系，确定工作状态 。 2.3.3 MOSFET的交流小信号模型 2.3 MOS场效应管 1、MOSFET的三种基本组态（P63，图2-53） 2、MOSFET的背栅控制特性 （1）在分立元件电路中，MOSFET的衬底B与源极S通常 是短接的，衬源电压uBS=0，MOSFET 为“三极管”。 G D B S （2）在集成电路中，要求N管的衬底要接系统的最低电位， P管的衬底要接系统的最高电位，以保证各管之间的相 互隔离以及衬底与源漏区之间PN结的可靠截止，因此 衬源电压uBS≠0。 （3）衬底调制效应是指衬源电压uBS对iD的控制作用，也称为 背栅控制特性。 uBS变化 引起开启电压的变化，从而影 响iD的的变化。 （4）背栅跨导gmb： 跨导比 3、MOSFET的低频交流小信号模型 共源NMOS管 低频小信号模型 + + - - ugs ubs + - uds gmugs gmubs rds 分立元件电路中，一般uBS=0，MOSFET的模型与JFET相同。 - uds + ugs gmugs - + rds FET低频小信号线性模型 G D id S * * * 双极型三极管：Bipolar Junction Transistor 只有一种极性的载流子参与导电. 三极管 有两种极性的载流子参与导电. 单极型三极管 (场效应管)：Field Effect Transistor 场效应管的分类： 结型（JFET）： 绝缘栅（IGFET）： N沟道/P沟道 MOSFET 增强型： 耗尽型： N沟道/P沟道 N沟道/P沟道 学习方法建议：（将FET和BJT进行类比学习） 结构 工作原理 特性曲线 主要参数 小信号模型 ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S 2.2 结型场效应管 一、 JFET的结构和符号 N P+ P+ D S G D G S D G S PN结 栅极 漏极 源极 N沟道JFET的电路符号 导电沟道 P沟道JFET P N+ N+ D S 漏极 源极 P沟道JFET的电路符号 # 符号中的箭头方向表示什么？ 表示栅极-沟道间的PN结正偏时栅极电流的方向。 # FET和BJT的电极对应关系：G--B； D--C； S--E； # 因FET结构对称，漏极和源极可互换使用。（BJT不能） 二、JFET的工作原理 因栅极—沟道间的PN结反偏， 栅极电流iG?0；栅极不取电流。 栅极输入阻抗高达107?以上。 在D-S间加一个正电压uDS0, N沟道中的多子在电场作用下由S向D漂移运动，形成漏极电流iD ， iD的大小受uGS的控制。 下面主要讨论uGS对iD的控制作用以及uDS对iD的影响。 G N P+ P+ D S iD iG *FET的“栅极不取电流”这一点很重要，它能给我们的分析带来极大