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基于库仑阻塞原理的多值存储器！
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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基于库仑阻塞原理的多值存储器!
孙劲鹏 王太宏
（中国科学院物理研究所，北京 !# ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管，
其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有
三个稳定的存储状态 利用这个原理可以制备出多值的动态随机存储器和非挥发性的随机存储器 这种低功耗的
单电子多值存储器可以实现信息的超高密度存储
关键词：库仑阻塞，单电子晶体管
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入多个比特的多值存储技术将显得越来越重要 因
!/ 引 言 为传统的)567 只有两个状态：开和关，所以基于
)567 的传统存储器单元进行多值存储时受到多方
电子器件经历了从电子管到晶体管，从分立器 面限制 考虑到未来新型计算机的发展将以分子电
件到集成电路的发展过程 为了满足迅速发展的信 子学、量子力学和生物技术为基础，所以多值存储器
息和计算机技术的需要，集成电路的线宽不断减小， 无疑是一种具有广阔发展前景的存储器件
集成度不断提高 高密度、高速度、低功耗是集成电 单电子器件具有不同于传统器件的电学性质，
路技术追求的几个主要指标 目前工业化大规模生 它可以通过精确控制量子点中电荷的数目来实现器
产的集成电路线宽已经减小到了 / !% 0，而实验室 件的一定功能，据此研究制备出了具有两个稳定状
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已可实现 以内的线宽 减小线宽可以成比例 ! (
!10 态的单电子存储器 ；同时人们也开始对单电子
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