“半导体制造技术”题库.pdf

1. 分别简述RVD 和GILD 的原理，它们的优缺点及应用方向。 2. 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？ 3. 杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？ 4. 从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。 5. 写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。 6. 分别写出恒定表面源扩散和有限表面源扩散的边界条件、初始条件、扩散杂质的分布函数， 简述这两种扩散的特点。 7. 什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？ 8. 什么是方块电阻？简述其常见的测量方法。 -2 9. 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Q cm 。 （1）如果这次预淀积进行了总共t 分钟，若预淀积温度不变，引入3Q cm-2 的杂质需要多长 时间？ （2 ）预淀积后再进行推进扩散，要求推进的杂质足够深，使得最后表面杂质浓度等于其固 溶度Cs 的1%。若已知预淀积过程中的(Dt)predop ，推导出推进扩散过程中(Dt)drive-in 的表达式。 9. 简述几种常用的氧化方法及其特点。 10. 说明SiO 的结构和性质，并简述结晶型SiO 和无定形SiO 的区别。 2 2 2 11. 以P2O5 为例说明SiO2 的掩蔽过程。 12. 简述杂质在SiO2 的存在形式及如何调节SiO2 的物理性质。 13. 简述常规热氧化办法制备SiO2 介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由 反应控制或扩散控制。 14. 常用的薄氧层工艺有哪些？ 15. 说明影响氧化速率的因素。 16. 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。 17. 已知氧化层生长的抛物型速率系数B 和线性速率系数B/A 的表达式为 E E 1 ， 2 ，E 和E 分别为B 和B/A 的激活能。 B C exp( ) B / A C exp( ) 1 2 1 2 kT kT 现一片硅片由0.3um 厚的SiO2 薄膜覆盖。 （1）在1200℃下，采用H2O 氧化，使厚度增加0.5um 需要多少时间？。 （2 ）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？ -23 所需数据见下表， 玻尔兹曼常数k=1.38×10 。 氧化工艺 B B/A 2 2 1 6 2 1 干氧 C1 7.72 10 m h C2 6.23 10 m h E 1.23eV E 2.0eV 1 2 2 2 1 7 2 1 湿氧 C1 2.14 10 m h C2 8.95 10 m h E 0.71eV E 2.05eV