《半导体物理学》第二章.pdf

半导体物理 SEMICONDUCTOR PHISICS • 教案：刘 诺 副教授 • 教案：刘 诺 副教授 • 制作: 刘 诺 副教授 • 动画：刘诺，陈洪彬，赵翔，韩劲松 • Email: liunuo2002@ • 电子科技大学 • 电子科技大学 • 微电子与固体电子学院 • 微电子与固体电子学院 • 微电子科学与工程系 • 微电子科学与工程系 §2.1 掺 杂 Si 晶 体 §2.1 掺 杂 Si 晶 体 Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 1、杂质与杂质能级 • 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。 • 杂质来源: （1 ）有意掺入 （2 ）无意掺入 • 杂质在半导体中的分布状况 （1）替位式杂质 （2 ）间隙式杂质 Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 杂质出现在半导体中时，产生的 附加势场使严格的周期性势场遭到破 坏： Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 杂质能级位于禁带之中 Ec 杂质能级 Ev Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 2、施主能级：Si中掺磷P （Si：P ） Si Si + 电离施主P+ 电离施主P 导带电子 导带电子 Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 在Si单晶中，V族施主替位杂质两种荷电状态的价键图 （a ）电离态 （b ）中性施主态 Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是掺施主的意义所在。 Impurity-doped Silicon Impurity-doped Silicon 施主电离能：△E =E -E D C D E C △E =E -E △E =E -E D C D D C D