反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdfVIP

反激式电源中MOSFET的钳位电路 输出功率100W以下的AC/DC 电源通常都采用反激式拓扑结构。这种电源 成本较低，使用一个控制器就能提供多路输出跟踪，因此受到设计师们的青睐， 且已成为元件数少的AC/DC 转换器的标准设计结构。不过，反激式电源的一个缺 点是会对初级开关元件产生高应力。 反激式拓扑结构的工作原理，是在电源导通期间将能量储存在变压器中，在 关断期间再将这些能量传递到输出。反激式变压器由一个磁芯上的两个或多个耦 合绕组构成，激磁能量在被传递到次级之前，一直储存在磁芯的串联气隙间。实 际上，绕组之间的耦合从不会达到完美匹配，并且不是所有的能量都通过该气隙 进行传递。少量的能源储存在绕组内和绕组之间，这部分能量被称为变压器漏 感。开关断开后，漏感能量不会传递到次级，而是在变压器初级绕组和开关之间 产生高压尖峰。此外，还会在断开的开关和初级绕组的等效电容与变压器的漏感 之间，产生高频振铃(图1)。 图1：漏感产生的漏极节点开关瞬态 1 如果该尖峰的峰值电压超过开关元件(通常为功率 MOSFET)的击穿电压，就 会导致破坏性故障。此外，漏极节点的高幅振铃还会产生大量EMI。对于输出功 率在约2W以上的电源来说，可以使用钳位电路来安全耗散漏感能量，达到控制 MOSFET 电压尖峰的目的。 钳位的工作原理 钳位电路用于将MOSFET上的最大电压控制到特定值，一旦MOSFET电压达到 阈值，所有额外的漏感能量都会转移到钳位电路，或者先储存起来慢慢耗散，或 者重新送回主电路。钳位的一个缺点是它会耗散功率并降低效率，因此，有许多 不同类型的钳位电路可供选择(图2)。有多种钳位使用齐纳二极管来降低功耗， 但它们会在齐纳二极管快速导通时增加EMI的产生量。RCD钳位能够很好地平衡 效率、EMI产生量和成本，因此最为常用。 图2：不同类型的钳位电路 钳位 RCD钳位的工作原理为：MOSFET关断后，次级二极管立即保持反向偏置，励 磁电流对漏极电容充电(图3a)。当初级绕组电压达到由变压器匝数所定义的反 射输出电压(VOR)时，次级二极管关断，励磁能量传递到次级。漏感能量继续对 变压器和漏极电容充电，直到初级绕组电压等于箝位电容电压(图3b)。 2 图3：RCD钳位电路的初级侧钳位 Vc=钳位电压 此时，阻断二极管导通，漏感能量被转移到钳位电容(图4a)。经由电容吸 收的充电电流将漏极节点峰值电压钳位到VIN(MAX)+VC(MAX)。漏感能量完全转 移后，阻断二极管关断，钳位电容放电到钳位电阻，直到下一个周期开始(图 4b)。通常会添加一个小电阻与阻断二极管串联，以衰减在充电周期结束时变压 器电感和钳位电容之间产生的任何振荡。这一完整周期会在钳位电路中造成电压 纹波(称为VDELTA)，纹波幅度通过调节并联电容和电阻的大小来控制(图5)。 图4：RCD钳位的工作原理 钳位电阻消耗漏感能量 RCDZ钳位与RCD钳位的工作原理相同，不同点在于它通过齐纳二极管与电 阻串联来分担耗散(图2)。齐纳二极管可防止电容放电至齐纳二极管阻断电压以 下，这样可限制功率耗散并提升效率，特别是在轻载时非常