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非均匀旋转磁场对液桥表面张力对流控制的研究

( ) 第 卷第 期 西 南 大 学 学 报 自然科学版 年 月 38 10 2016 10 ( ) Vol.38 No.10 JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Oct. 2016 y : / DOI 10.13718 .cnki.xdzk.2016.10.024 j 非均匀旋转磁场对液桥表面张力对流控制的研究① , , 13 23 2 2 1 姚丽萍 , 曾 忠 , 张 易 , 邱周华 , 姚凌云 , ; , ; 1.西南大学 工程技术学院 重庆 400715 2.重庆大学 工程力学系 重庆 400030 , 3.重庆大学 煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室 重庆 400030 : , 摘要 半导体晶体作为各类电子器件的基础材料 它的发展对现代电子行业的发展起着重要的推动作用 为了探 . , , 索生长高品质晶体的优化方案 建立了半浮区液桥的三维磁流体动力学模型 采用有限体积法数值研究了微重 , 力环境下外加二极对非均匀旋转磁场对液桥表面张力对流的控制作用 研究结果表明 由二极对非均匀旋转磁场 . ( , ) , , 7mT 50Hz所产生的周向强迫搅拌作用 有效地提高了液桥的最大周向速度 同时抑制了液桥的最大轴向速 , 度 该作用使无磁场作用下的三维液桥表面张力对流得到有效控制转变为二维轴对称定常流动. : ; ; ; ; 关 键 词 旋转磁场 表面张力流 对流控制 液桥 微重力 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) O363 A 1673 9868201610 0168 08 、 、 , 半导体晶体是集成电路 激光器 光电器件等的主要基础材料 它的革新对现代化工业的发展起着 , , 决定性的作用 各种晶体制备方法中 浮区法由于无坩锅容器接触可以避免污染 是一种生长高纯度晶 . ,

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