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* * 第四章 集成运算放大器 模拟电路 第四章 差动放大器与 集成运算放大器 §4.1 集成运算放大电路概述 §4.2 集成运放的内部结构及特点 §4.3 集成运放的主要性能指标 集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。 集成电路的优点： 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。 集成电路的分类： 模拟集成电路、数字集成电路； 小、中、大、超大规模集成电路； ? ? §4.1 集成运算放大电路概述 集成电路内部结构的特点： 1. 电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方向一致，温度均一性好。 2. 电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。 3. 几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成、大电容要外接。 4. 二极管一般用三极管的发射结构成。 UEE +UCC u+ uo u– 反相 输入端 同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 原理框图： 输入级 中间级 输出级 与uo反相 与uo同相 对输入级的要求：尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR , 输入阻抗 ri 尽可能大。 对中间级的要求：足够大的电压放大倍数。 对输出级的要求：主要提高带负载能力，给出足够的输出电流io 。即输出阻抗 ro小。 集成运放的结构 （1）采用四级以上的多级放大器，输入级和第二级一般采用差动放大器。 （2）输入级常采用复合三极管或场效应管，以减小输入电流，增加输入电阻。 （3）输出级采用互补对称式射极跟随器，以进行功率放大，提高带负载的能力。 R2 T3 R1 R3 -UEE +UCC ui2 uo E RC T1 RC T2 ui1 T4 IC =IC1+ IC2 = ?1 IB + ?2(1+ ?1 ) IB = [?1 + ?2(1+ ?1 ) ]IB 为减小IB， 提高输入电阻，T1、T2采用复合三极管 ? = IC / IB = ?1 + ?2(1+ ?1 ) ? ?1 ?2 IC IB IE ?1 ?2 ? IC1 IC2 IB2 -UEE +UCC E RC T1 RC T2 T5 T6 RC3 RE2 RC4 RE3 T7 T9 T8 RE4 RE5 T11 T10 RL 第4级：互补对称射极跟随器 差动放大器 第2级 第1级：差动放大器 第3级：单管放大器 – + 集成运放内部结构（举例） 极 性 判 断 ri 大: 几十k? ? 几百 k? 运放的特点： KCMRR 很大 ro 小：几十 ? 几百? A o 很大: 104 ? 107 理想运放： ri ? ? KCMMRR ? ? ro ? 0 Ao ? ? 运放符号： ＋ － u－ u+ uo － ＋ ＋ u－ u+ uo ? Ao 国际符号 国内符号 §4.3 集成运放的主要性能指标 一、开环差模电压放大倍数Aod 无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在105 ? 107之间。理想运放的Aod为?。 二、共模抑制比KCMMR 常用分贝作单位，一般100dB以上。 三、差模输入电阻rid ri1M?, 有的可达100M?以上。 四、输出电阻ro ro =几?-几十?。 * * * * *