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封装基板CO2激光直接钻通孔工艺研究
2015春季国际PCB技术／信息论坛 机械加工技术MechanicaI
Processing
封装基板C02激光直接钻通孔工艺研究
PaDerCOde：S一105
孙宏超 王名浩 谢添华 李志东
(广州兴森快捷电路科技有限公司，广东广州510663)
(深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司，广东深圳518028)
摘要 文章就应用于封装基板的C0，激光直接钻通孔工艺进行了深入的探讨，对制作开口孔
径为70um的通孔进行流程和参数优化。通过JMP软件设计优化试验，分析了各加工参
数(脉宽、能量、枪数、光罩等)对开口孔径和孔真圆度的影响，并得出了最佳加工
参数。最佳工艺参数为：脉宽7．1 mm，枪数2shot，同时微
us，能量6．9mj，光罩1．9
蚀量控制在(O．6～0．8)u111，以此加工所得开口孔径为70．96LIffl，真圆度为97．26％。在此
基础上，对孔的可靠性能进行验证，验证结果证实了孔的可靠性能良好。
关键词 封装基板；CO，激光直接钻子L；通孑L；优化试验设计；JMP
中图分类号：TN41文献标识码：A
Researchof laSerdirect forVIPinIC
C02 drilling
SUN X1ETidn—h“QLl
Hong—chQ0哥吒4NGMing—Hno Zhi—dong
AbStraCtThis carriedon discussionof laserdirect ofICSubstrate，
p印er thorough C02 drillingprocess
and the and of in Viasizeis usedJMPsoRware
optimizedprocessparametermakingVIP(ViaPad)whose70”m．It
and theinnuenceof numberof
designoptimizationexperimentanalyzed parameters(pulsewidth，energy，the
and
Viasize thebest
size．ect．)on roundness，andfinallygot parameters．The
pulses，mask optimal
width 2shot．Inthe controlledtheetchamount
meantime，this
7．1“s，energe6．9mj，mask1．9mm，pulses experiment
betweenand Viasizeis roundnessis97．26％．0nthis
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