电工学按章节.doc

第一章 本征半导体：经过高度提纯、晶体结构完整有序的半导体。 N型半导体：在本征半导体（如硅）中掺入微量的五价元素（如磷）。主要以电子的定向运动形成电流。 P型半导体：在本征半导体（如锗）中掺入微量的三价元素（如硼）。主要以空穴移动形成电流。 PN结：在一片完整的硅片上，用一定的工艺使一边形成P型半导体，一边形成N型版导体，在这两种不同半导体的交界面附近会形成一个特殊的区域——半导体。 硅材料PN结管压降为0.6~0.7V，锗材料PN结管压降为0.1~0.3V。 P极的空穴会向N极扩散，同时N极的电子也会向P极扩散。所以产生了PN结内电场是N指向P。 PN结的内电场会引起漂移运动。最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，PN结的宽度和内电场的强度才会稳定下来。 PN结正接是P接正、N接负极。 PN结特性：单相导电性、电容效应Cj（势垒电容CT和扩散电容CD）。 单相导电性：正向导通、反向截止、反向击穿。电容效应：外加电压的变化将引起PN结空间电荷量的改变。发生在空间电荷区内的电容效应称势垒电容，在PN结反向偏置中占主导作用。发生在PN结外侧的电容效应称扩散电容，在PN结正向偏置时占主导作用。 二极管：是由PN结焊接上引线并用管壳封装制成。按结构可分为点接触和面接触。 半导体的二极管的测量：常用万用表R×100或R×1kΩ档，黑表笔对正，红表笔对负。 稳压二极管：是利用PN结的反击穿特性制成的一种特殊的二极管。接法 半导体三极管：电子、空穴两种载流子均参与导电。 三极管有两种不同类型：PNP、NPN。 三极管具有放大作用的内条件：反射区杂质浓度要大于基区。 基区很薄，参杂浓度低（关键）。 集电区体积要比反射区大且参杂少。 NPN型三极管导通外条件：VCVBVE. PNP型三极管导通外条件：VCVBVE. 三极管输出特性曲线分三个区：放大区、饱和区、截止区、击穿区。 三极管直流放大参数。 场效应管：是利用电场效应控制多数载流子运动的一种半导体器件。 各种管的符号：三极管，N沟道增强型MOS管，N沟道耗尽型MOS管，P沟道MOS管，晶闸管，单结晶体管。 第二章 放大概念：第一，放大作用实质上是一种能量控制作用；第二，放大是针对动态量而言。 如何实现放大：利用具有放大作用的电子器件组成的放大电路就可以实现信号的放大。常用的放大器件有三极管、场效应管和集成放大电路等。 放大电路工作时有两种状态：静态和动态。静态时放大电路的必备条件，动态是放大电路的实质。 放大电路的效率： （PE是直流电源提供的功率） 放大电路分为双极型三极管放大电路和单级型场效应管放大电路。 对放大电路分析方法：静态：图解法、估算法。动态：小信号用微变等效电路法，大信号用图解法。 共射极放大uo与ui相位相差1800称为共射极放大的倒相作用，这是共射极放大的特点。 射极输出器（共集极放大电路）uo与ui相位相同，称为射极跟随器。 信号失真原因：静态工作点不合适或者输入信号太大。 场效应管共漏极放大电路（源极跟随器） 静态工作点偏低——截止失真 静态工作点偏低——饱和失真 通常希望放大电路的输入电阻高一些 通常希望放大电路的输出电阻低一些 在多级放大电路中，两个单级放大电路之间的联接方式称耦合。 常用耦合方式：阻容耦合、直接耦合。 阻容耦合：优点：①各级静态工作点彼此独立。②交流信号损失小，放大倍数高。③体积小成本低。缺点：①对低频信号放大倍数低。②难易制造大电容，不利集成化。 直接耦合：优点：①低频特性好，能放大缓变信号和直流信号。②便于集成化。缺点：①前后级静态工作点相互影响。②零点漂移 零漂：理论上直接耦合放大器在输入信号为零时输出电压应保持不变，单实际上，在输入端短路的条件下，其输出端的直流电位常常出现缓慢无规则的变化。这种现象称为零点漂移。 抑制零漂最有效的方法是用恒流源电路提供恒流，用差动电路抑制零漂。 差动放大电路：由两个共射极电路对称组合而成的双输入双输出的差动放大电路。公共端虚地。 差模输入信号：两输入端分别作用着大小相等、相位相反的交流信号。 共模输入信号：量输入端分别作用着大小、相位都相等的交流信号。 差模放大倍数： 共模放大倍数：值越小表示抑制零漂能力越强。 共模抑制比： 共模放大要抑制，差模放大要求要大。因此共模抑制比越大，差动放大电路越好。 功率放大电路按照三极管集电极在信号一个周期时间内存在的时间不同分为A类、B类、AB类等。 A类功放转换效率为1/4。B类功放转换效率为π/4。 交越失真原因：三极管存在死区电压。 第三章 集成运放电路由：输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部分经直接耦合级联而成。 输入级：是提高运