深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型.pdfVIP

　第 19 卷第 10 期　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 10　 V o l N o 　1998 年 10 月　 　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 深亚微米薄膜全耗尽 SO IMO SFET 的强反型电流模型 汪红梅　奚雪梅　张　兴　王阳元 (北京大学微电子学研究所　北京　100871) 摘要　本文在分析 FD SO IM O SFET 特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微 米器件的强反型电流物理模型. 模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调 制、载流子速度饱和、漏致电导增强( ) 和串联 电阻等. 该模型最大的优越性在于线性 D ICE S D 区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述, 确保了电流及其高阶导数在饱和点连续. 将 模型模拟计算结果与实验结果进行了对比, 当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时, 二者吻 合得仍然很好. PACC: 7360F , 7220F , 7220H 1　引言 薄膜全耗尽 SO IM O SFET 可以抑制短沟效应、具有理想的亚阈斜率和高跨导等优点, [ 1, 2 ] 在低压、低功耗和深亚微米数字模拟电路中有着广泛的应用前景 . 建立适用于数字和模 拟电路模拟的精确而有效的 SO IM O SFET 解析模型, 对于 SO IVL S I 电路的分析与设计具 有十分重要的意义. [ 3～ 9 ] [ 3, 4 ] 到目前为止, 有关薄膜 SO IM O SFET 器件模型的研究已有不少 . 有些模型 在饱 和区和线性区采用不同的表达式, 不能保证漏电导从线性区到饱和区连续而平滑的过渡, 在 电路模拟过程中, 会导致收敛困难. 因此, 为了获得电流和电导的连续性, 一些作者[ 5, 6 ] 采取 令线性区和饱和区电流、电流的一次导、二次导在过渡点相等的办法来确定器件参数, 这样 就会引入一些脱离其物理值的参数, 而且公式很复杂. 另外一些作者[ 7, 9 ] 则采用了所谓的光 滑函数的方法来改善电流的连续性, 但光滑函数的引入本身就是一个纯数学过程, 没有任何 物理意义可言. 而且, 线性区到饱和区的过渡强烈依赖于该光滑函数, 因此, 如何正确选取光 滑函数亦是一个难题. 汪红梅　1969 年出生, 博士生, 目前主要从事SO I 器件制备、模型、模拟等研究 奚雪梅　1967 年出生, 博士, 主要从事 SO I 器件模型、模拟、工艺等研究 张　兴　1965 年出生, 博士, 主要从事 SO I 工艺、设计、模拟等方面的研究 1997 年 11 月 29 日收到 10 期　　　　汪红梅等: 　深亚微米薄膜全耗尽 的强反型电流模型　　　　　 SO IM O SFET 757 为了解决上述问题, 本文提出了一种新的强反型电流电压模型. 在整个沟道区采用准二 维的处理方法, 在考虑 FD SO IM O SFET 器件特点的情况