DEA-J2007-009 多晶硅生长视频监测系统实施方案.docVIP

多晶硅生长视频监测系统实施方案 1、多晶硅生长视频监视系统的需求分析 1.1多晶硅生长环境 作为半导体材料的多晶硅，工业上制取的方法有多种，目前国内大都采用三氯氢硅在高温下（1000～1200℃）用氢气还原的方法在还原炉内实现。 还原炉内装有12对多晶硅棒，它们实际上是串联在电路中的，先用高压击穿，后通低压电流升温，当达到反应条件后，将精制并净化后的氢气和三氯氢硅混合气体通入还原炉内进行还原反应，还原析出的高纯硅不断地在硅芯上沉积，同时又作为载体继续在其表面进行还原反应。在生产过程中要根据反应时间和反应情况不断调节通料量和混合气体的配比以及通过硅棒的电流，以保证还原反应在要求的温度范围内进行，从而保证多晶硅的质量。当认为硅棒达到规定的直径后，就停止还原反应并做好出炉的准备工作。 1.2多晶硅生长原有的测试方法 在生产过程中往往需要根据用户的要求而生产一定直径的多晶硅棒，多年来一直是根据生产工人的经验，用眼睛通过还原炉上的视镜来观察估计炉内硅棒的直径，由于生产工人的经验以及还原炉上视镜透明度的不同，常常造成观察估计的结果和出炉后实测直径有一定的出入，有时误差较大，给用户的使用和加工带来困难。 1.3多晶硅生长视频监测系统 鉴于现有测量多晶硅生长方法的陈旧和精度不高等问题，我们提出了多晶硅生长视频监测的方法来对多晶硅的生长直径进行测量和过程进行监测，同时能实现以下功能： （1）实现多晶