电力电子-陈坚第2章2016.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT IGBT结构和等效电路 G C E R d r R br T 2 T 1 A B IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT 1. IGBT的结构 IGBT的结构如图2.7.1(a)所示。 简化等效电路如图2.7.1(b)所示。 电气符号如图1.7.1（c）所示 它是在VDMOS管结构的基础上再增加一个P+层，形成了一个大面积的P+N结J1，和其它结J2、J3一起构成了一个相当于由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR; IGBT有三个电极: 集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅