硅基晶体管在OLED上的应用.pdfVIP

Si 基薄膜晶体管（TFT ） 薄膜晶体管（TFT ）通常是指采用非晶或多晶半导体薄膜制造的一种MOSFET 。其结构类似于SOI-MOSFET ，只是导电沟道材 料采用的是非晶或多晶半导体薄膜；工作原理也与MOSFET 相似，即栅极电压可以改变半导体薄膜的表面势，从而能够控制源 -漏电流。 Si 基薄膜晶体管主要有两种类型，即非晶硅TFT 和多晶硅TFT 。 （1）非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFT）： 非晶硅薄膜晶体管的结构如图所示。有源沟道层采用非晶硅。器件衬底是无Na 玻璃，为了消除来自玻璃杂质的影响，常常在 玻璃表面淀积一层 200nm 的低温二氧化硅（LTO ）。栅绝缘层采用a-SiNx ∶H 。栅极在下面（为底栅），为了工艺兼容，多选用 难熔金属Ta、Mo 作为栅极材料；在大面积显示的像素电路中，为了降低接触电阻、减短栅延迟，则栅极材料多选用Al （这时 为了减小因Al 的小丘效应而产生失效，常常采用AlTa 、AlTi 等合金）。源/漏电极多选用Al，不过对于大尺寸显示器，为了减小 因电极电阻压降而导致的不均匀性，现在正试用Cu 来制作源/漏总线。 非晶硅（a-Si）是常用的一种非晶半导体，它通常采用气相淀积的方法来制备，包括真空蒸发、溅射、辉光放电和化学气相淀 积（CVD ）等，可以得到非晶硅薄