统计方法在电迁移测试数据分析比较中的运用.pdfVIP

中国集成电路 制造 CIC China lntegrated Circult 统计方法在电迁移测试 数据分析比较中的运用 王笃林，马瑾怡，张荣哲 （中芯国际，上海, 201203） 摘要：针对线上工艺的不同情况，如量产产品工艺监控、工艺改进的验证或者线上异常情况发生时的风 险评估，仅进行常规的参数估计和寿命推算是不够的，需要对电迁移加速寿命测试的数据进一步分析。 本文结合统计的方法，着重研究通过对X- MR 图引入监控因子这个参数形成双控制线管制图来对于量 产产品工艺稳定性进行评估，及早发现问题；通过引入T0. 1 的95%的置信区间来比较子批与母批（基 线），从而对工艺改进和线上异常发生时更有效的进行风险评估。 关键词：电迁移；对数正态分布；双控制线管制图；变量分析 1 引言 件金属互连可靠性的一个项目也变得越来越重要。 影响互连引线电迁移的因素十分复杂，包括工 作电流聚集、焦耳热、温度梯度、晶粒结构、晶粒取 集成电路芯片内部采用金属互连引线来传导工 向、界面组织、应力梯度、合金成分、互连尺寸及形状 作电流，这种传导电流的金属引线称作金属互连层。 等。针对电迁移复杂的微观机理，需要对其测试得到 在电路工作时，金属互连线内有工作电流通过，电子 的数据进行细致准确的分析，才能找出影响电迁移 会与金属原子产生碰撞进行动量交换，使得金属原 可靠性的主要工艺因素，以提高工艺质量和稳定性。 子在金属线里沿着电子运动方向产生质量的输运， [1] 2 EM的参数估计和寿命推算 这种现象就是电迁移 （EM: Electro- migration）。电 迁移能使IC 中的互连引线在工作过程中产生断路、 短路或者参数退化，从而引起IC 失效，其表现为： 目前，电迁移的加速寿命测试主要依据JEDEC 1）在金属引线中形成空洞，增加了电阻； 国际标准JESD63 的要求，在一定温度和电流的（大 2）空洞长大，最终贯穿整个互连引线，导致引 于芯片的工作温度和工作电流）测试条件下获得一 线断路； 组样品的失效时间（TTF: time to failure）。在EM 的 3）在金属引线中形成晶须,造成层间短路； 加速测试中，通常认为加速应力条件下样品的寿命 随着芯片集成度的提高，互连引线变得更细，电 数据TTF （i）服从对数均值为μ，对数标准差为σ [2] 流密度随之越来越大。所以电迁移测试作为评估器 的对数正态（Lognormal）分布 ，即寿命数据的对数 78 （总第124 期） 2009 ·9 · http ：// 中国集成电路 CIC 制造 China lntegrated Circult 值lnTTF （i）服从均值为μ,，标准差为σ,的正态分 与统计相结合的比较方法： 布（其中i=1,2 …n ，n 为该应力条件下的样本数）。