纤锌矿型GaN电子迁移率的计算_杨燕.pdfVIP

2005 8 () Aug. 2005 32　 4 　 JOURNAL　OF　X ID IAN 　UN IVERS ITY 　 Vol. 32　N o. 4 G aN 杨　燕, 郝　跃 (西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西 西安　710071) :考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的 4种散射 制——— 电离杂质散射, 极化 光学波散射, 声学波压电散射和声学声子形变势散射的单 个平均动量驰豫时间, 采用 M attiessen srule计 算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下, 氮化镓电子漂移迁移率, 霍耳因子以及霍耳迁移率随温度 的变化. 计算表明, 温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加, 200K时达到峰值 1.22, 温度大于 200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小. 此外, 在包括室温在