激光化学气相沉积_连载之一_张魁武幻灯片.pdf

讲 　座 激光化学气相沉积 (连载之一 ) 　　　　　　 ( ) 张魁武 北京机床研究所 ,北京 　100 102 　　　　　　　　　　 摘要 :本讲座介绍了激光化学气相沉积的基本原理 ,较详细地讲述了制备金属薄膜 、金刚石薄膜 、类金刚石薄膜 、 氢化非晶硅薄膜 、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器 、工艺参数以及薄膜的性能 。 关键词 :激光化学气相沉积 ;激光诱导 ;激光辅助 ;光解激光 ;热解激光 ;光热共解激光 中图分类号 : TG15699; TB43　　文献标识码 : B　　文章编号 : 2007) L a ser Chem ica l Vapour D eposition ( L CVD ) ( Ⅰ) ZHAN G Ku iwu (B eij ing M ach ine Too l R e search In stitu te, B eij ing 100 102 , Ch ina) A b stract: The ba sic p rincip le s of la ser chem ical vapou r depo sition were in troduced. The app lied la sers, techno logical p roce sse s and p rop ertie s of the depo sited m etal th in film s, diamond th in film s, diamondlike th in film s, hydrogenated a morp hou s silicon th in film s, compound sem iconductor th in film s and in su lating th in film s etc were de scribed in details. Key words: la ser chem ical vapou r depo sition (LCVD ) ; la ser inducem en t; la ser a ssisted; p hoto lytic la ser; p yro lytic la ser; p hototherm allytic la ser 0　引言 ( 3) 不需掩膜沉积 　此种沉积方式提高了激光能 ( ) 量利用率 ,可以采用直写方式沉积出设计的图案 ,凡激 传统的化学气相沉积 CVD 通过在零件基体表 面发生化学反应形成薄膜 。所有的沉积反应都是吸热 光光斑扫描过的轨迹上都形成沉积薄膜 。该工艺适应 反应 ,需要有热源将基体加热到 400 ～1500 ℃,一般都 性强 ,方便样机快速改型 ,制造形状不规则的零件 , 以 在 900 ～1000 ℃之间的高温区 ,且难以实现选区定域 及微电子器件的维修等 。 ( ) (4) 膜层纯度高 ,夹杂少 ,质量高 。 沉积 。等离子体化学气相沉积 PCVD 虽能激发反应 物质的分子 ,在较低温度下发生非平衡成膜反应 ,但 ( 5) 可用作成膜的材料范围广 ,几乎任何材料都 是 , 由于该技术的固有特性带来的缺点 ,限制了某些应 可进行沉积 。 用 。例如 ,它的重离子轰击 、真空超紫外辐射和来自反 激光化学气相沉积如今在国外微电子工业应用广 应室的溅射以及反应物对膜层的污染等 ,都妨碍其应 泛 。诸如 ,集