电容-电压法测量p+n结的平均杂质浓度和杂质分布.docVIP

实验六 电容-电压法测量p+n结的平均杂质浓度和杂质分布 实验项目性质：综合实验 所涉及课程：半导体物理， 微电子器件物理 计划学时：2学时 一、实验目的 1. 掌握电容-电压特性测试仪的使用 2. 通过测量p+n二极管电容与反向电压的关系， 测量硅p+/n 外延层的杂质浓度随深度的分布。 二、实验原理 对于一个 P+N的单边突变结。P区一边空间电荷区很窄，是因为掺杂浓度很高。空间电荷的宽度几乎全在n型半导体一边，其中正的空间电荷由电离施主构成，此空间电荷区称为耗尽层，如图1所示。 耗尽层的宽度取决于半导体的杂质浓度。平衡时耗尽层的宽度为： 当外加偏压时，耗尽层的宽度随外加电压的变化二变化：