亥姆霍兹线圈剖析.doc

南昌大学物理实验报告 实验名称： 亥姆霍兹线圈磁场 学院： 资源环境与化工学院 专业班级 过控151 学生姓名： 吴东亮 学号： 5801415020 实验地点： 基础实验大楼 座位号：42 实验时间： 第9 周星期一上午10点开始 实验目的： 1.学习和掌握霍尔效应原理测量磁场的方法。 2.测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。 实验原理： 1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1）载流圆线圈磁场 根据比奥-萨伐尔定律，载流圆线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上某点磁感应强度B为 B=μ0N0IR2/2（R2+x2)3/2 式中μ0=4π×10-7H/m为真空磁导率，R为线圈的平均半径，N0为圆线圈的匝数，I为通过线圈的电流，x为轴线上某一点到圆心O的距离。因此它在轴线上磁场分布图如图（1）所示。 亥姆霍兹线圈 所谓亥姆霍兹线圈是两个相同的圆线圈，彼此平行且共轴，通以同方向电流I，理论计算证明：当线圈间距a等于线圈半径R时，两线圈合磁场在轴线上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，如图（2）所示 （1） （2） 霍尔效应法测磁场 霍尔效应法测量原理 将通有电流I的导体置于磁场中，则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电势差，这一现象称为霍尔效应。电势差UH称为霍尔电压。 如课本图25-5所示n型半导体，若电流I沿X轴方向流动（有速度为V运动的电子），此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后，运动着的电子受洛伦兹力FB的作用而偏移、聚集在S平面；同时随着电子的向S平面（下平面）偏移和聚集，在P平面（上平面）出现等量的正电荷，结果在上下平面之间形成一个电场 （此电场称之为霍尔电场）。 这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。当电子受到的洛伦兹力和霍尔电场的反作用力这二种达到平衡时，就不能向下偏移。此时在上下平面（S、P平面）间形成一个稳定的电压（霍尔电压）。（2）霍尔系数、霍尔灵敏度、霍尔电压设材料的长度为l，宽为b，厚为d，载流子浓度为n，载流子速度v，则与通过材料的电流I有如下关系：I=nevbd霍尔电压 UH=IB/ned=RHIB/d=KHIB式中霍尔系数RH=1/ne，单位为m3/c；霍尔灵敏度KH=RH/d，单位为mV/mA由此可见，使I为常数时，有UH= KHIB =k0B，通过测量霍尔电压UH，就可计算出未知磁场强度B。本实验使用的仪器用集成霍尔元件，已经与显示模块联调，直接显示磁场强度。 实验仪器： 亥姆霍兹实验仪由二部分组成。它们分别为励磁线圈架部分磁场测量仪器部分亥姆霍兹线圈架：二个励磁线圈：线圈有效半径105mm线圈匝数500匝二线圈中心间距105mm测量磁场传感器：4501A使用霍尔元件测量磁场。移动装置：横向可移动距离150mm，纵向可移动距离50mm，距离分辨力0.5mm 四、实验内容和步骤： 1. 测量圆电流线圈轴线上磁场的分布（1）仪器使用前，先开机预热5min接好电路，调零。（2）调节磁场实验仪的输出功率，使励磁电流有效值为I＝200mA,以圆电流线圈中心为坐标原点，每隔10.0 mm测一 个Bm值，测量过程中注意保持励磁电流值不变，记录数据并作出磁场分布曲线图。2 .测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场的分布（1）关掉电源，把磁场实验仪的两组线圈串联起来（注意极性不要接反），接到磁场测试仪的输出端钮，调零。（2）调节磁场测试仪的输出功率，使励磁电流有效值仍为I＝200mA。以两个圆线圈轴线上的中心点为坐标原点，每隔10.0mm测一个Bm值。记录数据并作出磁场分布曲线图。 实验数据与处理： 1、亥姆霍兹线圈（注：B/mT为实验值，Bm/mT为理论值， 理论值公式：） 轴向距离x/mm -110 -100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 B/mT 0.454 0.512 0.572 0.636 0.681 0.720 0.749 0.763 0.780 0.786 0.789 0.790 Bm/mT 0.491 0.554 0.617 0.680 0.738 0.787 0.825 0.852 0.868 0.877 0.880 0.882 B-Bm/mT -0.037 -0.042 -0.045 -0.044 -0.057 -0.067 -0.076 -0.089 -0.088 -0.091 -0.091 -0.092 轴向距离x/mm 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110