微电子器件(3-3).ppt

* 3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数 本节以 NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 P N+ N 0 xjc xje NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 本节求基区输运系数 的思路 进而求出基区渡越时间 将 E 代入少子电流密度方程，求出 JnE、nB(x) 与 QB 令基区多子电流密度为零，解出基区内建电场 E 最后求出 3.3.1 基区内建电场的形成 NB(x) NB(WB) NB(0) WB 0 x 在实际的缓变基区晶体管中， 的值为 4 ~ 8。 设基区杂质浓度分布为 式中 是表征基区内杂质变化程度的一个参数， 当 时为均匀基区； 因为 ， ，所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用，是 加速场。 令基区多子电流密度为零， 解得 内建电场 为 小注入时，