TiAlN-SiO2太阳能选择性吸收薄膜的制备及研究.pdf

TiAlN／SiOz太阳能选择性吸收薄膜的制备与研究／余超等 ·43· TiAlN／Si02太阳能选择性吸收薄膜的制备与研究+ 余超，冒守栋，汪少杰，谢婷婷，孙可卿，宋振纶 (中国科学院宁波材料技术与工程研究所，宁波315201) 摘要 采用直流磁控溅射法在铜基底上制备了TiAlN／SiOz选择性吸收薄膜。通过调整斟备过程中的工艺参 数，得到优化后的组合薄膜(铜基底)，其吸收率可迭0．92、发射率为0．06。在此组合膜系中，删；寥吸雌展l肇q。 为减反层。对基底为铜片的样品在550。C／g,L 2h，其性质保持稳定，表明TiAIN／SiOe组合薄膜在高潺_太=．嘲涟择社 吸收领域具有一定的应用前景。 关键词 选择性吸收薄膜吸收率发射率热稳定性 中图分类号：TB332 文献标识码：A andCharacterizationof SolarSelective Film Preparation TiAIN／Si02 Absorbing YU Zhenlun Chao，MAO ie，XIE Shoudong，WANGShaoj Tingting，SUNKeqing，SONG InstituteofMaterials and of 315201) (Ningbo TechnologyEngineering，ChineseAcademySciences，Ningbo Abstract selective filmwas on TiAlN／Si02 substratesa reac, absorbing depositedcopper usingDC蝴etron tive of tandemabsorberis0．92andtheemittanceis thistan- sputteringsystem．Theabsorptanceoptimized 0．0fi．In demabsorberTiAINis and actsasanantireflection tandemabsorber absorbinglayer Si02 coating．Thecopper-matrix thermal wereannealed(inair)atdifferent for2h，andexhibited tO550*C．Theresults temperatures good stabilityup indicatethe selectiveabsorberin solarselective ofTiAlN／Si02 applicationpotential hightemperature absorbing． wordsselective Key absorbingfilm，absorptance，emittance，thermalstability 太阳辐射能主要集中在可见光和近红外波长范围内 化了工艺参数，通过XRD、SEM、分光光度计、椭偏仪等测试