89年度期末考题.doc

半導體製程安全期末考試題 學號：___________________（2.5 分） 姓名：__________________（2.5 分） 複選題視為數個是非題，如五種選擇配分 5 分的複選題視為 5 個是非題，選錯一項扣 1 分 單選答案可能為 0 1. （複選，5 分）矽晶體中若參雜下列哪些元素會形成負型（n-type）半導體？( 鎵（Ga） ( 砷（As） ( 鍺（Ge） ( 磷（P） ( 鉛（Pb） 2. （單選，2 分）所謂正型（p-type）半導體係指 ( 接近或位於導帶的電子洞較電子多 ( 半導體中淨電荷為正 ( 半導體中淨電荷為負 ( 為本徵半導體 ( 接近或位於導帶的電子較電子洞多 3. （複選，7 分）在以下哪些製程中可對晶體材料進行摻雜（doping）？( 微影成像（photolithography） ( 磊晶（epitaxy） ( 氧化（oxidation） ( 蝕刻（etching）( 擴散（diffusion）( 長晶 ( 植離子（ion implantation）。 4. （單選，1 分）根據 SEMI 的建議，半導體製程設備之設計噪音不得大於( 85 dBA ( 90 dBA ( 80 dBA ( 95 dBA ( 75 dBA 5. （單選，1 分）根據我國勞工安全衛生法規的建議，作業廠所噪音連續八小時不得大於( 85 dBA ( 9