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第十八章 佈線與封裝 類比CMOS積體電路設計 891 一般佈線考慮 PMOS 電晶體的佈線 。 (1) n型井以足夠的安全邊限環繞元件 ，以確保電晶體在製程 中對於所有未對準的情況都能被包含在井中 ； ＋ (2)每個主動區域 （S/D區和 n 區和井接觸 ）被一適當的植 入離子以足夠的安全邊限環繞著； (3)從第十七章所描述的製程步驟中 ，閘極需要獨立的光罩； (4)接觸視窗光罩提供了從主動區和多晶矽至第一層金屬的連 接。 類比CMOS積體電路設計第十八章佈線與封裝 892 最 小寬度 在窄多晶矽線中的多餘寬度變化 。 多晶矽和金屬線的寬度和厚度 。 類比CMOS積體電路設計第十八章佈線與封裝