电磁波与电磁场——第八章.ppt

由此可见，当 时， 处，电场振幅取得最大值，即 当 时， 处，电场振幅取得最小值，即 由于 ，因此，电场振幅位于 0 与 之间，即 ，此时电场驻波的空间分布如左图。两个相邻振幅最大值或最小值之间的距离为半波长。 0 ?1 z 电场振幅的最大值与最小值之比称为驻波比，以 S 表示 。那么 可以证明，若两种媒质均是理想介质，当 时，边界处为电场驻波的最大点；当 时，边界处为电场驻波的最小点。这个特性通常用于微波测量。 上述情况不同于前述的完全驻波。此时媒质中既有向前传播的行波，又包含能量交换的驻波。 由此可见，当发生全反射时， 。当 时， 此时反射消失。这种无反射的边界称为匹配边界。可见，驻波比的范围是 。 例 已知形成无限大平面边界的两种介质的参为 ， ； ， 当一右旋圆极化平面波由介质①向介质②垂直入射时，试求反射波和折射波及其极化特性。 解 建立直角坐标系，令边界平面位于平面，如左图示。已知入射波为右旋圆极化，因此入射波、反射波和入射波可以分别表示为 ?1?1?1 ?2?2?2 z x Y S t S r S i 反射系数和透射系数分别为 由于反射波及透射波的 y 分量仍然滞后于 x 分量， 但反射波的传播方向为负 z方向，因此变为左旋圆极化波。透射波的传播方向仍沿正 z 方向，因此还是右旋圆极化波。 8-6.多层边界上平面波的正投射 先以三种介质形成的多层介质为例，说明平面波在多层介质中的传播过程及其求解方法。 Zc1 Zc2 Zc3 -l 0 z ① ② ③ 如左图示，当平面波自介质①向边界垂直入射时，在介质①和②之间的第一条边界上发生反射和透射。当透射波到达介质②和③之间的第二条边界时，再次发生反射与透射，而且此边界上的反射波回到第一条边界时又发生反射及透射。 由此可见，在两条边界上发生多次反射与透射现象。 根据一维波动方程解的特性，可以认为介质①和②中仅存在两种平面波，其一是向正 z 方向传播的波，以 及 表示；另一是向负 z 方向传播的波，以 及 表示。在介质③中仅存在一种向正 z 方向传播的波 。那么各个介质中的电场强度可以分别表示为 相应的磁场强度分别为 根据 z = 0 和 z = ?l 两条边界上 电场切向分量必须连续的边界条件，得 根据两条边界上磁场切向分量必须连续的边界条件，得 上述两组方程中 是给定的，四个方程中只有 ， ， 及 等四个未知数，因此完全可以求解。 对于 n 层媒质，由于入射波是给定的，且第 n 层媒质中只存在透射波，因此，总共只有 (2n – 2) 个待求的未知数。但根据 n 层介质形成的 (n – 1) 条边界可以建立 2(n – 1) 个方程，可见这个方程组足以求解全部的未知数。 如果仅需计算第一条边界上的总反射系数，引入输入波阻抗概念可以简化求解过程。在上述例子中，我们定义介质②中任一点的合成电场与合成磁场之比称为该点的输入波阻抗，以 Zin 表示，即 已知介质②中合成电场为 式中R23 为介质②和③之间的边界上反射系数。 根据前述反射系数定义，求得 那么，介质②中的合成磁场可以表示为 将上述结果代入输入波阻抗定义式中，得 已知在边界上两侧合成电场及合成磁场应该是连续的，求得 第一条边界上总反射系数定义为 则由上述结果求得 式中 由此可见，引入输入波阻抗以后，对第一层介质来说，第二层及第三层介质可以看作为波阻抗为 Zin(?l) 的一种介质。已知第二层媒质的厚度和电磁参数以及第三媒质的电磁参数即可求出输入波阻抗Zin(?l) 。 利用输入波阻抗的方法计算多层介质的总反射系数，实质上是电路中经常采用的网络分析方法，即只需考虑后置介质的总体影响，不必关心后置媒质的内部结构 。 对于 n 层媒质，如下图示。 当平面波自左向右入射时，为了求出第一条边界上的总反射系数，利用输入波阻抗的方法是