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工艺导致的机械应力对深亚微米！#$器件的影响
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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工艺导致的机械应力对深亚微米 !#$ 器件的影响
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李 睿! # $ 王庆东#
!）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 %%%% ）
）（中国科学院研究生院，北京 !%%%’( ）
# ）（上海宏力半导体制造有限公司，上海 %!%# ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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随着+,-. 器件的不断微缩，硅有源区面积的缩小，工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著，许多工艺
步骤会造成有源区应力的累积 应力不仅导致器件性能对版图产生依赖性，而且带来各种可靠性问题，影响芯片的
/
长期使用寿命 在很多情况下，应力相关的问题直接影响芯片制造的良率 在总结各种应力来源的基础上，回顾了
/ /
到目前为止人们所观察或理解的应力对+,-. 器件性能和可靠性的各种影响，提出了分析和解决工业生产中应力
相关问题的基本思路/
关键词：机械应力，
+,-.
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除了 工艺，其他 制造过程中的许多
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!C 引 言 步骤也会造成有源区域的应力，例如薄膜沉积过
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，硅化物（ ）形成过程 ，掺杂（ ）过
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