微机原理与接口技术 漆强版 第7章 存储器.ppt

2.存储器接口分析 ROM接口电路 只读存储器在计算机系统中的功能主要是存储程序、常数和系统参数等。目前常用的有27系列和28系列EPROM芯片。 第7章 存储器 本章主要内容 半导体存储器的分类 1 半导体存储器的主要技术指标 2 典型存储器芯片 3 存储器与系统的连接 4 存储器用来存放程序和数据，是计算机各种信息的存储和交流中心。存储器可与CPU、输入输出设备交换信息，起存储、缓冲、传递信息的作用。 衡量存储器有三个指标：容量、速度和价格/位。 存储器的层次结构 7.1 半导体存储器的分类 内存储器一般由一定容量的速度较快的半导体存储器组成，CPU可直接对内存执行读/写操作。 内存储器按存储信息的特性可分为随机存取存储器RAM（Random Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）两类。 7.2 半导体存储器的主要技术指标 存储容量 存储容量就是以字或字节为单位来表示存储器存储单元的总数。 读写速度 半导体存储器的速度一般用存取时间和存储周期两个指标来衡量。 可靠性 通常指存储器对温度、电磁场等环境变化的抵抗能力和工作寿命。 又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 指连续启动两次独立的存储器操作(例如连续两次读操作)所需间隔的最小时间。 7.3 典型存储器芯片介绍 1. Intel 2114 1K×4位的SRAM 六管存储元电路 单一的+5V电源供电 所有的引脚都与TTL电平兼容 7.3 典型存储器芯片介绍 2. Intel 6264 8K ×8位的SRAM 0.8μmCMOS工艺制造 单一的+5V电源供电 高速度、低功耗 全静态，无须时钟和定时选通信号 I/O端口是双向、三态控制，与TTL电平兼容 Intel 62系列 型号 容量 6264 8K×8bits 62128 16K×8bits 62256 32K×8bits 62512 64K×8bits 7.3 典型存储器芯片介绍 3. Intel 51256 32K×8位的SRAM Intel 51256工作方式 7.3 典型存储器芯片介绍 4. Intel 2164 64K×1bit的DRAM 址线只有8位，16位的地址信号分为行地址和列地址，分两次送入芯片。 Intel 21系列 型号 容量 2164 64K×1bit 21256 256K×1bit 21464 64K×4bit 7.3 典型存储器芯片介绍 5. Intel 41256 256K×1位DRAM，存取时间200～300ns，地址线只有一半的位数，行地址和列地址分两次输入。 7.3 典型存储器芯片介绍 6. Intel 27128 128K（16K×8位）的EPROM 14条地址线，经过译码在16K地址中选中一个单元 最大访问时间250ns，与高速8MHz的iPAX186兼容 27128的工作模式 7.3 典型存储器芯片介绍 7. 28C64 28C系列是包含不同容量的E2PROM芯片。 与EPROM相比，E2PROM的优点是：编程与擦写所需的电流极小，速度快（10ms）；擦写可以按字节分别进行。 型号 容量/KB 28C16 2 28C64 8 28C256 32 28C512 64 28C64的两种封装 7.3 典型存储器芯片介绍 8. K9F6408U0A 典型的NAND Flash芯片 数据宽度为8位，可复用，既可作为地址和数据的输入/输出引脚，又可作命令的输入引脚，根据时序采用分时循环 芯片内部存储单元按页和块的结构组织 写和读以页为单位，而擦除以块为单位。读、写和擦除操作均通过命令完成 写入每页的时间为200us，平均每写一个字节约400ns，即约20Mb/s。此芯片可擦写1百万次，掉电数据不丢失，数据可保存十年 7.4 存储器与系统的连接 CPU对存储器进行读/写操作时，首先由地址总线给出地址信号，然后要对存储器发出读操作或写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交换。 存储器与系统之间通过AB、DB及有关的控制信号线相连接，设计系统的存储器体系时需要将这三类信号线正确连接。 7.4.1 存储器扩展 若干存储芯片和系统进行连接扩展，通常有三种方式： 位扩展 字扩展 字位扩展 位扩展（位并联法） 位扩展指用多个存储器器件对字长进行扩充。一个地址同时控制多个存储器芯片。 字扩展（地址串联法） 字扩展指的是增加存储器中字的数量。 字位扩展 实际存储器往往需要字向和位向同时扩充。 一个存储器的容量为M×N位，若使用L×K位存储器芯片，那么，这个存储器共需要（M/L）×（N/K）个存储器芯片。 7.4.2 存储器地址译码 存储单元的地