GaAsAlAs超晶格室温下的输运机制与自维持场畴振荡.pdfVIP

　第 19 卷第 10 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 10　 V o l N o 　1998 年 10 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 超晶格室温下的输运 GaA s A lA s 机制及自维持场畴振荡 武建青　江德生　孙宝权 (超晶格国家重点实验室　中国科学院半导体研究所　北京　10083) 摘要　在 ( 10 2 ) 弱耦合掺杂超晶格 曲线的第一个平台上, 我们首先观 GaA s A lA s nm nm I V 测到了直流偏压下的室温微波振荡. 观测到的最高振荡频率可达 142 . 这种由级联隧穿引 M H z 起的振荡在测试温度范围 14～ 300K 内始终存在. 经分析发现: 由于垒层仅有2nm , 电子隧穿 通过垒层的几率很高, 相比之下, 电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多. 在温度低 于 300K 时, 超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿. 这是室温仍然能观测 ( 到自维持振荡的主要原因. 由于实现振荡所施加的偏压比较低 在室温下偏压范围大约为 0 5 ～ 2 ) , 有利于抑制室温下通过 谷的热离子发射电流. V X : 7320, 7220 , 7340 PACC H G 自从E sak i 和 T su 提出半导体超晶格(SL ) 概念以来[ 1 ] , 超晶格内的纵向输运得到了广 [ 2～ 5 ] 泛的研究 . 其中, 超晶格的场畴及自维持振荡是最受人们关注的一个研究 GaA s A lA s 领域. 超晶格内的微波振荡依其机制可以分为三种: B loch 振荡, 扩展耿氏振荡及场畴振荡. 前两种属于微带输运. 当电子受外场加速在 空间从 = 0 向布里渊区边界运动时, 如果中 k k 途不发生散射, 电子将发生布喇格反射, 从而导致B loch 振荡产生. B loch 振荡的频率在 TH z 范围. 如果电子在到达布里渊区边界前受到散射, 但是已经通过布里渊区内色散曲线 的拐点, 由于有效质量变负, 从而导致负阻和振荡的产生. 这种振荡叫作扩展耿氏振荡. 其频 ( ) 和长度( ) 之积有关, 可达 60 [ 6 ] 率与器件的载流子浓度 n L GH z . 第三种振荡机制来自于弱 耦合超晶格的级联共振隧穿现象. 当一外加偏压加到超晶格上时, 基态上的电子会隧穿到邻 [ 2 ] 阱的激发态上去, 这将导致场畴的形成和负阻的产生 . 当超晶格内的掺杂浓度相