LED芯片简述.doc

LED芯片原理简述 一、LED发光原理 1 1.1能带发光 1 1.2衬底与外延层的物理匹配 3 1.3日亚化专利 5 二、LED芯片制备与MOCVD 6 三、国内LED发展状况 8 3.1 国内LED上游企业的成本构成概要 9 3.2 LED产业面临的专利竞争分析 10 3.3 国内现有LED生产厂家 11 附：pn结能级 11 一、LED发光原理 1.1能带发光 下图是白光LED结构图与光谱图（图片来自日亚化11-243232） 图片中205是电极，203为导线、202为GaN芯片、201为YAG荧光粉、204为封装。 LED发光步骤： A）电致发光：（英文electroluminescent，简称EL，通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击，电子级的跃进、变化、复合导致发光。B）光致发光：（photoluminescence，PL）光致发光，能量传递光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁。 为材料带能（单位eV），为普朗克常数，为光速，为波长（单位为nm） 由上式可见，要得到蓝光发射的芯片，必须选用能带大于2.8eV的材料。要得到黄光，选用的荧光粉材料能带也必须在eV之间。并且芯片发射的波长要比荧光粉发射的波长短（芯片能带比荧光粉能带要宽），否则荧光粉无法吸收来自芯片光发射的光能子，也就无法完成光致发光。 LED芯片pn结材料属于掺杂半导体材料，掺杂的元素在结附近形成势阱，使能带弯曲（具体见附录）。 发光效率问题 目前LED的发光效率仅能达到10%~20%,其余的能量转化为热能。发光材料一般选用直接带隙材料，其导带底和价带顶处于布里渊区的同一个波矢空间，利于电子空穴的直接跃迁复合。非间接带隙材料因导带底和价带顶波矢空间位置不一样，必须要靠声子（晶格振动）来进行跃迁复合，发光效率比直接带隙材料小几个指数量级。但是把间接带隙材料做成量子（纳米级别）材料改变能带，发光效率能显著提高(由参杂的“杂质工程”到纳米材料的“能带工程”)。LED通常通过pn结量子阱来提高辐射效率。典型直接带隙材料GaN，间接带隙材料GaP。 减少能量对热能的转换，是提高LED发光效率的主要途径。辐射复合（光发射）与非辐射复合（发热）之间的竞争决定了LED的内量子效率，如下式： 式中，Nt---非辐射复合中心密度；Et---非辐射复合中心能级能量；NL---辐射复合中心密度；EL---辐射复合中心能级能量；α0---通过一个电子陷阱从价带俘获一个空穴而发生的非辐射复合概率；β---通过一个空穴发光中心俘获一个电子而发生的辐射复合概率；n、p---自由电子和空穴浓度。 发光中心密度越大，非辐射复合中心密度越小，则内量子效率越高。因此LED的材料和工艺均要避免非辐射中心如位错和深能级杂质的引入。 发热源：电致发光及光致发光的能量转换很大一部分形成了热能。主要是由于能量传递耗损以及缺陷捕获能量发热。芯片外延层的晶格缺陷、荧光粉的晶格缺陷以及杂质，形成缺陷能级或杂质能级。这些能级水平不足于形成光辐射，但其能量势阱依然会捕获电子空穴发生非辐射复合。因此，外延层与衬底的晶格匹配度、外延层的晶体质量、荧光粉的纯度与质量直接影响LED灯发热量的多少，而芯片的发热又占了主要部分。 热传导：芯片的发热只能通过衬底和电极散热。衬底不只影响外延层的质量，还对散热至关重要。下一节将对比各衬底的优劣势。 1.2衬底与外延层的物理匹配 衬底材料直接影响外延层的质量。外延层与衬底匹配较好，则晶格完整，内量子效率高，发热较少。匹配不好，则缺陷使晶格畸变，部分吸收的能量转成热能，降低发光效率。 衬底的导电性能决定电极的位置。垂直结构可增大出光面。衬底的导热性影响芯片的效率、稳定性、寿命。 几种芯片常用衬底优劣势对比如下面表格 衬底材料 晶格失配率 对GaN 导热系数 (W/(m.K)) 膨胀系数 (*10e-6) 稳定性 导热性 成本 ESD 蓝宝石（Al2O3） 13% 46 1.9 一般 差 中 一般 硅 (Si) 17% 150 5~20 良 好 低 好 碳化硅（SiC） 3.5% 490 -1.4 良 好 高 好 衬底 材料 优势 劣势 应用厂家代表 蓝宝石(Al2O3) 生产技术成熟、器件质量较好； 能够运用在高温生长过程中；机械强度高，易于处理和清洗。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，晶能光电Sanken 碳化硅（SiC） 碳化硅衬底的LED芯片电极是L型电极，电流纵向流动，采用这种衬底的器件导电和导热性能非常好，利于做成面积较大的大功率器件； 不需要电流扩散层，光不会被电流扩散层材料吸收，提高了出光效率。 图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片 图2 采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片 1.3日亚化专利 1）蓝光芯片与制造 日本国特许厅公开号：06-1