小组汇报-台玉萍-1.23.ppt

NORTHWEST UNIVERSITY * * * 晶硅电池基础知识及文献介绍 主要内容 n-p(PANDA)电池的优缺点 2 减反膜的减反原理 1 文献汇报 3 ARC减反原理-薄膜干涉 切片制绒后的硅片反射率在20%以上 根据薄膜干涉原理，在电池表面制作一层（多层）薄膜，可有效降低太阳光反射率 未镀膜时,光线由空气(折射率=n0)垂直入射进硅片(折射率=nSi) ，其反射率为 一.ARC减反原理及设计 (1) 在硅片表面镀膜后，入射光在薄膜的两个表面发生反射 上下表面反射光束相位差为?时，两束光干涉相消，无能量损耗 对应减反膜的厚度为n?+?/4，此时反射后空气中的光能量为零，最终实现减反目的 最终反射率的表达式为： r1为光在空气与薄膜界面的反射系数 r2为光在薄膜与硅界面的反射系数 ?为入射光