GaAsAlAs DBR的GSMBE优化生长及表征.pdfVIP

第 36 卷第4 期 稀有金属材料与工程 Vo I.36,No .4 2007 年 4 月 RAREMETAL如fATERIALS AND ENG时EERING April2007 GaAs/AIAs DBR 的 GSMBE 优化生长及表征 谢正生 12 ，吴惠祯\劳燕锋1 ，刘成1 ，曹 葫 1 (1.中离科学院上海微系统与信息技术研究所信怠功能材料国家重点实验室，上海 200050) (2. 中国科学院研究生践，北京 100039) 摘 要2 采用气态源分子束外延(GSMBE) 技术优化生长了 GaAs/AIAs 分布布拉格反射镜(DBR)材料，并用 X射线衍 射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用 5 s 陪断生长的 GaAslAlAs DBR 材料质量和界面质量优 于无隔断生长，并且 10 对 GaAslAIAs DBR 的质量优于 30 对，说明 DBR 对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越 差。优化生长得到的 30 对 GaAslAIAs DBR 的反射率大于99%. 中心波长为 1316 nm，与理论设计结构的模拟结果基本 一致，可用作1.3 μm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜。 关键词z 分布布拉格反射镜:气态源分子束外延;X 射线衍射:反射谱 中图法分类号: TN304.2 文献标识羁:A 文章编号: 1002-185X(2007)04-0587-05 军度达 3.8%，很难在 InP 衬底上直接外延生长出高震 引言 量的 GaAs/AIAs DBR，但可通过先在 GaAs 衬襄上生 长被长VCSEL 是光通信领域中研究的焦点之一。 长好该 DBR，弄通过直接键合方法来获得 VCSEL 结 构[2.3J 。因此在 GaAs 衬庭上外延生长出高厦量的 由于其容易实现单模操作、高速率调制、图形对称先 斑、易与先纤藕合等特性，使得 VCSEL 成为最有希 G aAs/AIAs DBR 是制作长波长VCSEL 的关键一步。 望代替分布反馈式 (DFB) 激光器成为光纤通讯的主 本研究采用气态摞分子束外延 (GSMBE) 技术f主 要光摄，并旦在平行党互联以及波分复用 (WDM) 等 化生长了1.3μm-GaAs/AIAs DBR，并通过 XRD 摇摆 方面优势十分明显，应用及开发潜力援大。 VCSEL 结 蛊线、三辐商维 mapping 以及党员射谱方法对其结梅 费由有摞层谐振踵及其上下两经分布布拉格反射镜 特性进行了研究。实桂证费， GSMBE 生长的 30 对 (DBR) 捏成，出射光发商与材料表面垂直。其中 GaAs/AIAs DBR 材料可作为反射腔镜用于1.3μm­ DBR 结构是由两种不同折射率、各为 À.14 光学厚度的 VCSEL 键合结艳。 半导体材料交替叠加哥成问。高厦量DBR 的设计与生 2 结构设计 长是长擅长VCSEL 的研究重点，一方面要求 DBR 对 2.1 材料折射率 中心渡长的党股枝小，实现高反射:芫一方面，要求 其有较好的导热性能，从南有利于 VCSEL 的室温连 材料折射率是 VCSEL 结艳设计中的重要参数，