GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征.pdfVIP

人工晶体学报 第42 卷第4 期 Vo1. 42 No.4 却13 年4 月 JOURNAL OF SYNτHETIC CRYSTALS April ,2013 GaAs 纳米薄膜的分步电沉积制备及表征 李龙1 气章海霞1 气刘晶1 气马淑芳1 气梁建1 气许并社1 ， 2 (1.末原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，末原0筑lO24; 2. 太原理工大学材料科学与工程学院，太原03阳的 摘要:采用分步电化学沉积法，在π0玻璃基底上成功制备出 GaAs 薄膜。采用高分辨X 射线街射仪(HRXRD) 、 场发射扫描电镜(FESEM) 、紫外可见光光度计(UV-Vis) 、荧光光度计(PL) 对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体 结构、形貌及光学性能进行表征。结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系，沿(111 )方向择优生长。随着退火温度的 升高，薄膜内颗粒逐渐增大，Ga 与As原子量比发生变化， E， 值减小，光致发光峰为红外发射峰。同时对其形成机 理进行了探讨。 关键词:GaAs薄膜;电沉积;退火 中固分类号:ωM 文章编号:1棚-985X(2013)04()ω1-(后 立献标识码:A Prepar硝on and Characterization of Nano GaAs Thin Fllms by a Two-step Electrodeposition Meth创 12 12 1 U Longl.2 , ZHANG Hai_xia . , UU Ji略1.2 ， MA Shu1angl.2 , UANG Jian . , XU Bi略_She . 2 ( 1 . Key l.aboratory of In阳也由Sci阻四皿d Engin倒也gin for Advanced Materials , Minis町of Edu四冠。n ， Tai}l皿 University of T，田hnol喀y ， Taiyuan 03(阻4 ， China; 2. College of Material Science and E咱neer吨， Tai严an Univeraity of T，田hnoligy ， Taiyu皿03仪剧， China) (1现ed 31 ()，曲曲 2012 ， aca驯ed25 n-m加2012) Abs仕act: GaAs 也in films were successfully fabricated on ITO glass subs国，te by two-step elec田deposition me也00. Crystallographic StruCture , morphology and optical properties of the films before and after annealing in difIerent temperatures were characterized by HRXRD , FESEM , UV-Vis and PL. The