10kV变压器的试验项目浅析.doc

10kV变压器的试验项目浅析 一．测量绕组的直流电阻 A.测量的目的和内容 1.检查绕组内部导线和引线的焊接质量; 2.检查分接开关各个位置接触是否良好; 3.检查绕组或引出线有无断裂断股; 4.检查并联支路连接是否正确,是否存在由几条并联导线绕制的绕组发生一处或几处断线的情况; 5.检查层面\匝间有无短路现象. 注:这个问题还可描述为:如果变压器绕组直流电阻不合格说明发生了什么问题?或者说我们将从哪几方面着手处理呢?或者说直流电阻不合格的原因有哪些? B.国家标准 1.1.6MVA以上各项绕组的直流电阻相互间的差别不应大于三相平均值的2%;无中性点引出的线间差别不大于三相平均值的1%. 2.1.6MVA以下各项绕组的直流电阻相互间的差别不应大于三相平均值的4%;无中性点引出的线间差别不大于三相平均值的2%. 3.与以前相同部位测得值比较,其变化不小于2%. 二．测量绕组的绝缘电阻,吸收比和极化指数 A.试验目的 1.初步判断变压器绝缘性能的好坏; 2.鉴别变压器绝缘是否整体或局部受潮; 3.检查绝缘表面是否脏污,有无放电或击穿所形成的贯穿性的集中缺陷; 4.检查有无瓷套管开裂,引线碰地,器身内有金属性搭桥所形成的短路缺陷; 5.吸收比K和极化指数PI不受材料尺寸和温度等影响,有利于用相同的判断标准1.3和1.5来衡量合格与否.PI因吸收时间更长,更能反映真实的绝缘状况.K=R60S/R15S大于1.3. PI =R10分/R1分大于1.5. B.测量方法 1.采用2500V或5000V兆欧.常用的有ZC-7手摇式和3121进口电动式. 2.“E”端接地,”L”端接被测绕组. 3.低压-------外壳及高压 高压-------外壳及低压 高压---------低压 三．测量绕组泄漏电流 （1）.测量目的: 测量绕组变压器线圈的泄漏电流与测量绝缘电阻相类似,但其灵敏度和准确度都比测绝缘电阻高.更能有效地检测出纯瓷套管的裂纹\沿面炭化等缺陷. 当被测试品内部有缺陷存在时,泄漏电流会随电压的增大而上升很大,甚至出现激增顶表的现象. （2）.国家标准 DL/T596未对泄漏电流具体数值作出规定,但要求读取试验电压1分钟时的泄漏电流值与历年数值比较不应有显著变化. （3）.试验方法 1.确定试验电压值: 额定电压(KV) 3 6-10 20-35 66-330 500 试验电压(KV) 5 10 20 40 60 2.接线前对变压器接地放电; 3.按图接好线,并由第二人复查无误; 4.加压速度应缓慢,加到试验电压时读取15秒和60秒的泄漏电流值.并记录环境温度和设备温度. （4）.测量顺序和部位 1.高压(加压)----------低压及外壳(接地) 2. 低压(加压)----------高压及外壳(接地) 四．测量介质损失角tgδ 平时我们测量的tgδ是包含绕组连同套管一起的数值,为了提高测量的准确性和检出缺陷的灵敏度,必要时可进行分解试验,以判断缺陷所在位置. 测量绕组的介损tgδ主要是反映变压器绝缘中的纸绝缘的tgδ,而绝缘电阻则是纸和油两种绝缘的串联值,因而tgδ来反映变压器整体绝缘状况比绝缘电阻有效.它是反映变压器绝缘受潮的主要特征之一. 一,测量目的 通过测量tgδ来判定变压器的绝缘性能,灵敏度高.用来检查变压器整体受潮\油质劣化\绕组上附着油泥及较严重的局部缺陷等. 二,国家标准 1.DL/T596对此有明确的规定:20℃时tgδ不大于下列数值 330----500KV:0.6% 66----220KV:0.6% 350KV及以下:0.6% 2.tgδ值与历年比较不应有显著变化(一般不大于30%) 3.试验电压 绕组电压10KV及以上:10KV 绕组电压10KV以下:Un 4.测量温度以顶层油温为准 5.同一变压器各绕组tgδ的数值应相同 三,测量方法 1.测量仪器的选用: QS1型西林电桥(多采用反接法);M型介损试验仪(试验电压为2500V);AI-6000D型抗干扰自动介损测试仪等. 2.按不同的仪器接好线,由于变压器外壳已接地,对于QS1型西林电桥测只能采用反接法. 一般在测完绝缘电阻和泄漏电流之后进行tgδ测试,测量时,所施加的试验电压可一次升至规定值.试验时,非测试绕组应接地.M型仪器试验时应屏蔽非测试绕组。