电子电路PPT4要点.ppt

2.特征频率 （三）极限参数 五、半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下： 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管。 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频大功率管、K表示开关管。 第四节 场效应管 一、结型场效应管 （一）JFET的结构和工作原理 在N型半导体材料的两侧分别制作两个高浓度P区，形成两个PN结。 两个PN结构成的空间电荷区，大多是不能移动的正负离子，可移动的载流子很少，故又称作耗尽区。根据PN结理论，耗尽区的宽窄除受半导体中杂质浓度的影响外，还受反向偏置电压大小的控制。 （二）JFET的特性曲线 结型场效应管特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线。 1．转移特性曲线 2. 输出特性曲线 图是JFET的一族输出特性曲线，根据曲线分布特点将其划分为四个区 可变电阻区（也称非饱和区） 恒流区（也称线性放大区、饱和区、有源区） 夹断区（也称截止区） 击穿区 二、绝缘栅型场效应管 （一）增强型MOS场效应管 1.结构和标识符号 N沟道增强型MOS场效应管结构示意图 2.N沟道增强型MOS管的工作原理 按图所示连接电路，漏源之间加正向电压vds，源极与衬底相连作为参考电位。 3.转移特性 将描述输出电流与输出电压之间关系的特性曲线称为转移特性曲线 4.输出特性 （二）耗尽型MOS场效应管 （三）场效应管的主要参数 1.开启电压 2.夹断电压 3.饱和漏电流 4.低频跨导 5.最大耗散功率 三、FET与BJT的比较 1.相似之处 2.导电机制与稳定性的差异 3.控制方式与直流输入电阻的不同 4.单极电压增益及噪声不同 5.其他 6.工作在线性放大区的偏置方式不同 第五节 晶闸管 一、晶闸管的结构及工作原理 （一）晶闸管的结构 晶闸管外部有三个电极，内部是由PNPN四层半导体构成，最外层的P层和N层分别引出阳极A和阴极K，中间引出控制极G，内部有三个PN结。 （二）工作原理 晶闸管按图（a）构成工作电路，图（b）表示其工作原理。晶闸管可以存在以下几种工作方式。 1．晶闸管的正向阻断 2．晶闸管的导通 3．控制极的控制作用 4．晶闸管导通后的关断 二、晶闸管的工作特性 1．晶闸管的导通特点 1．晶闸管的导通特点 晶闸管具有单向导电性，晶闸管的导通受门极的控制。 2．晶闸管导通的条件 阳极与阴极之间加正向电压，门极与阴极之间加正向电压。 3．导通后的晶闸管关断的条件 以下条件满足一个就可使导通的晶闸管关断。 （1）降低阳极与阴极之间的电压，使通过晶闸管的电流小于维持电流； （2）阳极与阴极之间的电压减小为零； （3）阳极与阴极之间加反向电压。 （二）晶闸管的主要参数 三、晶闸管的选择和保护 （一）晶闸管的选择 1. 电压等级的选择 2. 电流等级的选择 （二）晶闸管的保护 普通晶闸管承受过流和过电压的能力很差，在使用中，除了要使它的工作条件留有充分的余地外，还要采取一定的措施。 1. 过电压保护 阻容吸收元件在电路中的接入方法 2. 过电流保护 快速熔断器保护电路 四、晶闸管的应用 1．可调硅整流电路 2．晶闸管交流调压 3．晶闸管逆变器 Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo 第四章 半导体器件 第一节 半导体材料及PN结 导体 半导体 绝缘体 一、本征半导体 纯净的、晶体结构完整的半导体称为本征半导体，常温下其电阻率很高， 是电的不良导体。 当温度升高或受到外界其他因素影响时，少数价电子获得能量从而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，在原来的共价键的相应位置留下一个空位，称之为“空穴”。 A处为空穴，B处为自由电子。因为自由电子与空穴是成对出现的，所以称为电子—空穴对，此时整个原子对外仍然呈现电中性，这种现象就称为本征激发。 可见，在本征半导体中存在两种载流子：带负电荷的电子载流子和带正电荷的空穴载流子。 二、杂质半导体 (一) N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 N型半导体也称为电子型半导体。 (二) P型半导体 纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。 P型半导体也称为空穴型半导体。 三、PN结 （一）PN结的形成 在这个区域内，多数载流子或已扩散到对方，或被对方扩散过来的多数载流子(到了本区域后即成为少数载流子了)复合掉了，即多数载流子被消耗尽了，所以又称此区域为耗尽