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半导体三极管 外形 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 b c e N N P 三极管的工作原理work principle 工作原理work principle： ?发射区向基区注入电子 ?电子在基区扩散和复合 ?集电结收集电子 be结扩散 VCC VEE IE IC IB bc结漂移 结论conclusion： ?具有电流放大作用current amplify ?是有源器件 active device ?正常工作条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 ?IE、IB、IC间有确定的分配关系 diffuse drift 电子系统 收音机 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路 1904年 电子管问世 1947年 晶体管诞生 1958年集成电路研制成功 电子管、晶体管、集成电路比较 电子技术(ELCTRONICS TECHNOLOGY)：关于电子器件(DEVICES)与系统(SYSTEM)的科学研究与工程实用技术。 在科学和工程应用上，把电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大类。 信号(SIGNAL)：载有信息的物理量。模拟(ANALOG)：连续变量。 模拟信号(ANALOG SIGNAL)：以连续变量方式出现的物理信号。 数字信号(DIGITAL SIGNAL)：以数字或数据方式出现的物理信号。 电子技术的基本内容介绍 1) 数字信号：离散性 “1”的电压当量 “1”的倍数 介于K与K+1之间时需根据阈值确定为K或K+1 任何瞬间的任何值均是有意义的 2) 模拟信号：连续性。 电子电路中信号的分类 电子电路中信号的分类 数字信号 模拟信号 数字信号 数字信号: 时间和数值上都是离散的信号 时间上离散 --- 信号只在时间 坐标的离散点上发生变化 数值上离散 --- 各离散点上的信号数值是量化的 （某个最小单位的整倍数） 模拟信号：连续性。时间和数值上都是连续变化的物理量.大多数物理量为模拟信号。 模拟电路 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。 其它模拟电路多以放大电路为基础。 “模拟电子技术”特点 处理对象：模拟信号 处理目的：放大、稳定、滤波、产生信号 分析方法：工程分析方法（抓住主要因素， 忽略次要因素） 难点：交流、直流叠加，工程分析方法 模拟信号：时间和数值上都是连续变化的物理量. 数字信号:时间和数值上都是离散的信号 模拟电子技术(Analog Electronics Technology)：处理模拟信号的电子技术。模拟电子技术的目的是，向工程实际提供各种模拟信号处理电子电路(系统)的分析(ANALYSIS)和设计(DESIGN)技术。 模拟电路(ANALOG CIRCUITS)：处理模拟信号的电子器件组成的电子系统。 数字电子技术(Digital Electronics Technology)：处理数字信号的电