定量控制氧化物提拉过程动态模型剖析.docx

定量控制氧化物提拉过程动态模型摘要：一种定量控制氧化物提拉生长的动态模型首次被研发出来。当晶体的内部辐射被看作一个准稳态近似时，结晶结构不同部分和熔体对流模式的温度场计算用的是时间依赖性方法。用于三相点替换和晶体表面结构模拟计算的一种特殊算法已经很成熟。附带常用PID调节器的定量控制模型则用于热量变化的计算。例如，镓–钆石榴石（GGG）晶体生长过程的模拟，是从引晶阶段开始的。关键词：计算机仿真热传导借口直拉法氧化物介电材料简介高质量的氧化物单晶广泛用于制造大量医学、公共卫生服务、农业等领域所需的光学、声学设备以及其他设备。这些晶体的基本工业生产方法之一是chralski CZO（CZ）过程。随着氧化物晶体需求量的增加，高质量、大体积晶体的需求也随之增加，如此一来，氧化物晶体生长工业走上了与半导体生产工业同样的道路。然而，与半导体的生长不同的是，在氧化物晶体生长技术的发展中，模拟的作用仍然是相当实用的，因为生长过程中氧化物晶体的传热要复杂得多。当晶体的形状不随时间变化的时候，CZ生长模拟仍被局限于静态模型。因此，晶体拉伸的过程等也未被考虑在内。同时，半导体晶体提拉过程的动态仿真早已提出。当然，半导体增长的动态模型比氧化物要简单的多，因为在熔体中，热传输的影响并不显著，内部辐射也不存在，且界面曲率相当小。另一方面，对于氧化生长来说，基于时间的模拟似乎更重要。首先，作为通过翻转的结晶前的