第3章_门电路(11修).ppt

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第3章_门电路(11修)要点

* 物理与电子信息工程系 1 制作 三、低功耗肖特基系列74LS/54LS (Low-Power Schottky TTL) 四、74AS,74ALS (Advanced Low-Power Schottky TTL) · · · 2.5 其他类型的双极型数字集成电路* DTL:输入为二极管门电路,速度低,已淘汰 HTL:电源电压高,Vth高,抗干扰性好,已被CMOS替代 ECL:非饱和逻辑,速度快(tpd<0.1nS),用于高速系统 I2L :属饱和逻辑,电路简单,微功耗,用于LSI内部电路 · · · * 物理与电子信息工程系 1 制作 作业: P154 : 3.14; 3.15; 3.16; 3.18; * 先复习好CMOS管的特性,便于以下内容的教学. * 复习上节反相器的内容,导出工作管与负载管的工作情况,由此认知其它逻辑功能门电路的工作特征,并归纳出工作管\负载管的连接方式与实现的逻辑功能之间的关系. * 物理与电子信息工程系 1 制作 六 、三极管反相器 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中,为保证vI=vIL 时T可靠截止,常在输入端 接入负电源。 参数合理? vI=vIL时,T截止,vO=vOH vI=vIH时,T饱和,vO=vOL * 物理与电子信息工程系 1 制作 例3.5.1:计算参数设计是否合理 5V -8V 3.3KΩ 10KΩ 1KΩ β=20 VCE(sat) = 0.1V VIH=5V VIL=0V * 物理与电子信息工程系 1 制作 1. 将发射极外接电路化为等效的vB与RB电路 * 物理与电子信息工程系 1 制作 4. 因此,参数设计合理 * 物理与电子信息工程系 1 制作 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 VCC=5V,vIH=3.4V,vIL=0.2V PN结导通压降:VON=0.7V 1. 当vI=VIL=0.2V时(A=0) vO=VOH (Y=1) 2.当vI=VIH=3.4V时(A=1) vO=VOL (Y=0) 故输入输出间是反相关系, 即Y=A’ * 物理与电子信息工程系 1 制作 二、电压传输特性 AB段:截止区 vi0.6V, ∴VB11.3V,T1导通, T2、T5 截止,T4导通→ vOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4V BC段: 线性区 0.7VvI1.3V T2导通且工作在放大区,T5截止,T4导通,VI↑→VO↓ CD段: 转折区 vI=VTH≈1.4V, ∴ VB1≥2.1V,T2、T5导通,T4截止, ∴ vo迅速↓→VOL≈0 DE段: 饱和区 vI继续↑, 而vo= VOL几乎不变 * 物理与电子信息工程系 1 制作 需要说明的几个问题: T2的输出VC2和Ve2变化方向 相反,故称倒相级。 输出级在稳态下,T4和T5总 有一个导通、一个截止(推拉 式),既能降低功耗又提高了 带负载的能力。 D1能抑制负向干扰,防止T1 的发射极电流过大。 D2确保T5导通时T4可靠地截止。 * 物理与电子信息工程系 1 制作 三、输入噪声容限 在VI偏离VIH和VIL的一 定范围内,VO基本不变; 在输出变化允许范围内, 允许输入的变化范围称 为输入噪声容限。 VNH=VOH(min)-VIH(min) VNL=VIL(max)-VOL(max) 74系列门电路典型参数:VOH(min)=2.4V,VOL(max)=0.4V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V,故VNH=0.4V,VNL=0.4V。 * 物理与电子信息工程系 1 制作 作业: P154 : 3.11; 3.12 思考 * 物理与电子信息工程系 1 制作 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 例3.5.2:扇出系数(Fan-out), 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。 * 物理与电子信息工程系 1 制作 一、输入伏安特性 输入短路电流IIS:当vI=0时的输入电流。 规定流入方向为正,故: IIS=-(VCC-vBE)/R1≈-1.1mA 输入漏电流IIH:输入端加有高电平时的输入电流。 T1倒置,β很小,约0.01 IIH=β(VCC-vB1)/R1<40uA 当vI<0时,D1导通,故表现

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