第三章_第一、二节经典合成方法(2014.03.09).pptVIP

第三章 经典合成方法 3.1化学气相沉积 3.2高温合成 3.3低温合成 3.4高压合成 3.5低压合成 3.6水热和溶剂热合成 3.1 化学气相沉积Chemical Vapor Deposition (简称CVD) 高压化学气相沉积 High pressure chemical vapor deposition （HP-CVD） 低压化学气相沉积 Low pressure chemical vapor deposition （LP-CVD） 等离子化学气相沉积 Plasma chemical vapor deposition（P-CVD） 激光化学气相沉积 Laser chemical vapor deposition（L-CVD） 金属有机化学气相沉积 Metal organic chemical vapor deposition（MO-CVD） 高温化学气相沉积 High temperature chemical vapor deposition（HT-CVD） 低温化学气相沉积 Low temperature chemical vapor deposition（LT-CVD） CVD 基本要求 CVD 特点 CVD的缺点: (1)反应温度较高，沉积速率较低难以局部沉 积； (2)参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一 定的毒性； (3)镀