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第五章 时序逻辑电路 概 述 一、基本RS触发器 三、JK触发器 四、D触发器 2.二进制计数器： (1)异步二进制计数器： (2) 同步二进制计数器： 5.中规模集成计数器 (★要求看懂功能表） ③　反馈置数法 方法2：利用计数器的进位输出进行反馈置数 例5.2.6 用74LS161采用进位反馈置数法实现模7计数器。 5.3 半导体存储器 ◆ 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： 一、只读存储器(ROM) Read Only Memory （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全 为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 1. ROM的结构及工作原理： (1). 掩膜ROM（固定ROM） (2). 可编程ROM（PROM） 1．RAM的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出 控制等几部分组成。 基本要求 P+ P+ 浮置栅 N 源极 S 漏极 D SiO2 -45V (3). 可擦除ROM（EPROM、E2PROM、 Flash Memory ） (1) 用于存储固定的专用程序。 (2)利用ROM可实现查表或码制变换等功能 查表功能 －－ 查某个角度的三角函数 把变量值（角度）作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内的数据，这称为 “造表”。使用时，根据输入的地址(角度)，就可在输出端得到所需的函数值，这就称为“查表”。 码制变换 －－ 把欲变换的编码作为地址，把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。 3. ROM的应用举例 读写存储器又称随机存储器，其特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。 RAM 按功能可分为 静态、动态两类； RAM 按所用器件可分为双极型和 MOS型两种。 二、随机存取存储器(RAM)Random Access Memory 5.3 半导体存储器 存储矩阵 读/写 控制器 控制器 地 址 译 码 器 地 址 码 输 片选 读/写控制 输入/输出 入 入 5.3 半导体存储器 2.RAM芯片及其扩展 常用RAM组件的类型很多，以下介绍RAM2114。 RAM2114有： 10根地址线，4根数据线。 故其容量为：1024字×4位 （又称为1K ×4） (1) RAM2114 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 A2 A1 A0 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 CS GND VCC D3 D2 D1 D0 R / W RAM 2114 管脚图 D7 D6 D5 D4 D1 D3 D2 D0 CS CS D0 . . . . . . A9 A0 R/W D1 D3 D2 2114 (1) A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 2114 (2) 用两片2114 将位数由 4位扩展到 8位 把各片对应的地址线、R/W控制线、片选线连接在一起， 数据线并列使用即可。 (2) 位数的扩展： R/W A0 . . . A9 (3)字数的扩展： 各片RAM对应的数据线联接在一起；低位地址线也并联接起来，而高位的地址线，首先通过译码器译码，然后将其输出按高低位接至各片的选片控制端。 如用2114接成4096字×4位的存储器时，需要4个2114组件，共12根地址线。连接时，将各片中的低位地址A0---A9对应相连；而高位地址A10、A11经2-4译码，按高低位控制4片2114的CS端。见下图： 5.3 半导体存储器 A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) R/W 2 4 译码器 Y0 Y3 A11 A10 选中片序号 对应的存储单元 0 0 1 1 1 0 0 1 2114(1) 2114(2) 2114(3) 2114(4) 0000 ~ 1023 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 用2114接成4