-第6章半导体器件.pptVIP

第6章 半导体器件基础6.1 半导体基本知识 6.2 半导体二极管 6.3 半导体三极管 6.4 场效应管 * 6.1.1 本征半导体 图6-1 硅和锗简化原子结构模型，它们都是四价元素，最外层轨道上都有四个阶电子。 图6-2 本征半导体晶体结构示意 图6-3 本征半导体中的自由电子和空穴 原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等， 人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 在外电场的作用下,使空穴产生定向移动，形成空穴电流。 半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴 本征半导体自由电子数量很少，电阻率很大，因此导电能力差， 不能作半导体器件使用。 6.1.2 杂质半导体 N（Negative）型半导体: 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N（Negative）型 半导体，也称电子型半导体。在N型半导体中自由电子（结合后多一个电子）是 多数载流子 。它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子 空穴对，所以空穴是少数载流子。 五价杂质原子因失去一个电子而带单位正电荷而成为正离子，因此五价杂质 原子又称为施主杂质。 P（Positive）型半导体： 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等则形成了P（Positive）型 半导体