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- 2017-06-05 发布于湖北
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集成电路制备工艺要点
双极集成电路的基本制造工艺 双极集成电路中的元件结构 双极集成电路的基本工艺 MOS集成电路的基本制造工艺 MOS集成电路中的元件结构 MOS集成电路的基本工艺 BiCMOS工艺 3.名词解释:隐埋层、寄生晶体管、电隔 离(集成电路中)、介质隔离、PN结隔离 * * 集成电路的基本概念 半导体集成电路的分类 半导体集成电路的几个重要概念 内容概述 集 成 电 路 双极型集成电路 MOS集成电路 按器件类型分 按集成度分 SSI(100以下个等效门) MSI(103个等效门) LSI (104个等效门) VLSI(104个以上等效门) TTL、ECL I2L等 PMOS NMOS CMOS 集成度、工作频率、电源电压、特征尺寸、硅片直径 按信号类型分 模拟集成电路 数字集成电路 BiCMOS集成电路 数模混合集成电路 第一章 集成电路制造工艺 双极集成电路的基本工艺 双极集成电路中元件结构 1. 二极管 (PN结) 正方向 反方向 V I 电路符号: + - 有电流流过 没有电流流过 对于硅二极管,正方向的 电位差与流过的电流大小 无关,始终保持0.6V-0.7V P-Si N-Si + - 1. 二极管 (PN结) n p 2. 双极型 晶体管 p n p B端 E端 C端 E C B n p n B端 E端 C端 C B E N
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