模拟电子技术31 半导体三极管（BJT）--【汉魅huntmine—高校学习资料教育视频分享】.pptxVIP

3.1.1 BJT的结构简介;3.1.1 BJT结构简介;;;;三极管的放大原理归结为 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 内部机制：载流子传输 ;载流子的传输过程;由;（3）共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;;;若;;两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;+;;饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜0.7V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;; ? =?IC/?IB?vCE=const; =IC/IE ? VCB=const ; (2) 集射间反向饱和电流ICEO 基极开路时，晶体管的穿透电流。 ; ;(1) 集电极最大允许电流ICM;? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压; 极限参数决定晶体管是否能安全工作 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定晶体管安全工作区。;;思考与习题