ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究.pdfVIP

1569 子Jl徽等，ZnO纳米锥光毅:t..1t.偿及1iP14 ZnO 纳米庭场发射位能研究 ZnD 纳米锥光致发光性及印刷 ZnO 纳米锥场发射性能研究. 于灵敏1·2 ，朱长纯1 ，商世广I ，潘金袍1 (1.西安交通大学电子与信息工程学院，陕西西安 710049 ， 2. 西安工业大学材料与化工学院，陕西西安 710032) 摘 要: 利用物或热然发法制各大规模的籍公英状 2 实验过程 的 ZnO 纳米..利用荧光光涝仅对2nO 纳米锥a行了 2. 1 葡公英状 ZnO 纳米锥的制备 光貌发光性能测试.针对现有的丝网印刷破纳米管 利用物理熊燕~法制备2nO 纳米锥，然后利用扫 (CNTs)薄躁由安各种后处理工.艺后才能a~场发 描也子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR­ 射柿!i约问题，提出了一种不常任何后处理直在网印刷 TEM) 、荧光光谱仪对其形貌、结构及光致发光性能测 ZnO 纳米醉的浆料配制工艺. Jfl i装工艺创备的丝网印 刷 2nO 纳米像的精现射特性剖试农明，2nO 纳米锥与 试。 .Ut~质量比为 3 I 5 约薄瑛灼1t启场薇.低为2. 25 2.2 印刷 2nO 倒米锥障麟的树备 印刷 ZnO 纳米锥薄膜的制备包括~ 2nO 纳米键的 V/μm(也就密庭为 1μA/cm勺，在 4. 5VIμm 场强下， 制备、浆料的配制、蝶料的印刷、 印刷后薄膜的热扯理 阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.说明该方法 成本低，工艺简单，元需任何后处理，在 Zn。然米锥场 过程. ZnO 纳米锥丝网印刷浆料自 2nO 纳米锥.接申基 ~射显示嚣的创作中有很好的实际应用价蚀。 纤维素和水组成.衬底材料为氧化锡锢(ITO) 玻璃。 美锺划: 2nO 翩米锥;先数发光;揭发射;印刷 中由分提号: TN383. 2; TN873 丈黯标惧码:A 用 300 目的丝网将配好的紫料印刷到lTO 玻璃上后. 在400-õOOC 下烧结，以便有机物分解和挥发，待降 束蝙号:1001-9731(2007)10-1569-03 至室温时即得脐带的 ZnO 纳米锥薄膜. 1 害!曹 2.3 印刷 ZnO 蜗米钱赚酶的揭发封测试 揭发射特性的测试果用二极结构，印刷 ZnO 纳米 ZnO是一种重要的宽鳞带半导体材料，在短披长 发先棉件和撒光器件中表现出巨大的发展槽力L11. 目 线薄膜作为阴戳，印刷面极为 20mmX30mm，涂有荧 光粉的 ITO 玻璃为阳模，阴阳间距为 200μm. 工作电 前，人们已多种形税和不陌生最方向的 ZnO 纳米线的 压来用连续直流方式，测试真空度为 2.5 X lO-. sPa. 先散发光性能进行了大量研究[Z叫，结果显