L19-外场中的运动2.ppt

* 1、波包 上一讲回顾 2、晶体中电子准经典 运动的基本关系式： { 3、电子的有效质量： 电子的加速度方向并不一定与外力的方向一致。 倒有效质量张量是对称张量，如将kx、ky、kz取为张量的主轴方向，可将其对角化。 倒有效质量张量： §5.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 在k空间中，对于同一能带有 对于同一能带，处于k态和处于－k态的电子具有大小相等方向相反的速度。 当没有外加电场时，在一定温度下，电子占据k态和－k态的概率相同，这两态的电子对电流的贡献相互抵消。所以，无宏观电流I＝0。 在有电场存在时，由于不同材料中电子在能带中的填充情况不同，对电场的响应也不同，导电能力也各不相同。 一、满带、导带和近满带中电子的导电能力，空穴概念 近满带：能带的绝大部分能态已填有电子，只有 少数能态是空的 满 带：能带中所有的能态均已被电子所填满 导 带：能带中只有部分能态填有电子，而其余 的能态为没有电子填充的空态 1. 满带 满带中电子的对称分布不会因外场的存在而改变，所以不产生宏观电流，I＝0。 如果外力是恒定的，则电子在k空间做匀速运动，k轴上各点均以完全相同的速度移动，因此不改变整个能带处于均匀填满的状况，不产生电流 (略去隧道效应的影响)。 2. 导带 在外电场的作用下，导带中电子的对称分布被破坏，产生宏观电流，I ? 0 。 没有外场时，电子将填充最低的各能级到图示的(横)虚线，由E(k)图中虚线以下部分看出，由于k和-k对称地被电子填充，总电流抵消。 在外场力F作用下，整个电子分布将向一方移动，破坏了原来的对称分布，有一个小的偏移，这时电子电流将只是部分抵消，因而将产生一定的电流。 3. 近满带和空穴 假设近满带中有一个k态中没有电子，设I(k)为这种情况下整个近满带的总电流。设想在空的k态中填入一个电子，这个电子对电流的贡献为－ev(k)。但由于填入这个电子后，能带变为满带，因此总电流为0。 在有外场时，由于近满带中仍有少量没有电子占据的空态，所以在外场的作用下，电子也会发生能级跃迁，导致电子的不对称分布，所以， I?0。 在有电磁场存在时，设想在空状态k中仍填入一个电子形成满带。而满带电流始终为0，对任意t时刻都成立。 作用在k态中电子上的外力为 这表明，近满带的总电流就如同一个带正电荷e，其速度为电子在空状态k中的速度。 而在能带顶附近，电子的有效质量为负值，m* 0。 —— 正电荷e在电磁场中所受的力 在有电磁场存在时，近满带的电流变化就如同一个带正电荷e，具有正有效质量?m*?的粒子一样。 电子的准经典运动： 空穴导电性：近满带中缺少一些电子所产生的导电性 当满带顶附近有空状态k时，整个能带中的电流以及电流在外电磁场作用下的变化，完全如同一个带正电荷e，具有正有效质量?m*?和速度v(k)的粒子的情况一样，我们将这种假想的粒子称为空穴。 空穴是一个带有正电荷e，具有正有效质量的准粒子。它是在整个能带的基础上提出来的，它代表的是近满带中所有电子的集体行为，因此，空穴不能脱离晶体而单独存在，它只是一种准粒子。 电子导电性：导带底有少量电子所产生的导电性 二、导体、绝缘体和半导体 非导体：电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再 高的各能带都是没有电子填充的空带。 空带 空带 价带 价带 } Eg } Eg 半导体 绝缘体 半导体：禁带宽度一般较窄：Eg介于0.2 ~ 3.5 eV之间；常规半导体：如 Si：Eg ~ 1.1eV； Ge： Eg ~ 0.7 eV； GaAs： Eg ~ 1.5 eV 绝缘体：禁带宽度一般都较宽， Eg 几个eV；如?－Al2O3： Eg~ 8 eV； 导 体：电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和 空带间还有部分填充的导带。 导带 导体 半导体的本征导电性 在一定温度下，价带顶附近的电子可以被热激发到导带中，从而使导底有少量的电子，价带顶有少量空穴。因此，在一定温度下半导体具有一定的导电性，称为半导体的本征导电性。 电子跃迁的概率 ? exp(-Eg / kBT) 在一般情况下， Eg kBT，所以，电子的跃迁概率很小，半导体的本征导电率很小。 温度升高，电子的跃迁概率指数上升，半导体的本征导电性迅速增大。 半导体的非本征导电性：半导体通过适当掺杂，改变 电子在能带中的填充情况而获得的导电性。