半导体器件原理-第二章1研究报告.pptVIP

* PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 第二章 PN 结 分析方法：将 PN 结分为三个区，在每个区中分别对基本半导体方程进行简化和求解。 P 区 NA N 区 ND 平衡状态 --- PN 结内温度均匀、稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 §2-1 PN 结的平衡状态 本节主要介绍PN 结空间电荷区的形成， PN 结的内建电场、内建电势，及平衡时的PN 结空间电荷区宽度。 1、空间电荷区的形成 平衡少子： P区： N区： 利用 no po = ni2 的关系，可得： 平衡多子： P区： N区： 可见： 空穴扩散：P 区 N 区 电子扩散：P 区 N 区 扩散电流方向为：P 区 N 区 P 区 N 区 NA-，pp0 ND+，nn0 扩散电流： P 区 N 区 漂移电流： P 区 N 区 P区留下 ，N区留下 ，形成 空间电荷区。空间电荷区产生的电场称为 内建电场，方向为由N 区指向P 区。电场的存在会引起漂移电流，方向为由N 区指向P 区。 达到平衡时，净